整机应用中，EMC测试是现在必不可少的一个测试环节，其中EMC产生的原因和功率器件的振荡、电源纹波率等息息相关。随着生活需求的发展，电器设备的小型化、高集成化需求日益增加，尤其在缩小电感成本空间的高频应用方案中，使用更小驱动电阻会使功率器件的栅极振铃，电压尖峰问题更加突出。所以解决EMC问题或者功率器件的连续振铃，也就成了方案优化的关键，其中一项最有效也最简便的方式就是使用铁氧体磁珠。

铁氧体磁珠的基本介绍

铁氧体磁珠本质上是一种利用损耗来抑制高频噪声的元件，其专业名称是“铁氧体磁芯高频干扰抑制器”。它不是简单的电感，而是一个电阻值随频率变化的电阻器。铁氧体材料在高频下具有很高的磁芯损耗（主要是涡流损耗和磁滞损耗），能将已经转化的磁能以热量的形式耗散掉。磁珠的总阻抗 Z = R + jXL。在低频时，感抗占主导；在特征频率附近，损耗（电阻R）最大；超过特征频率后，感抗和电容效应可能导致阻抗下降。

图1 铁氧体磁珠等效模型图

EMC噪声的产生

栅极驱动电路的噪声问题至关重要，它直接关系到功率器件的可靠性和系统EMI性能。其噪声产生根源可归结为 “高速开关动作” 与 “电路非理想寄生参数” 之间的相互作用。

以下是系统的原理分析，从核心机制到具体表现：

机制一：栅极环路自身的噪声（振铃与误触发）

原理：

1. 寄生LC谐振：驱动回路的走线电感（Lg, Ls） 与MOSFET的输入电容（Ciss = Cgs + Cgd） 构成一个LC谐振电路。

2. 激励源：驱动芯片输出的陡峭上升/下降沿（本身含高频成分）激励该LC电路。

3. 振铃：当驱动电阻（Rg）的阻尼不足时，就会在栅极电压Vgs上产生衰减振荡（振铃）。过大的振铃可能导致栅极电压越过阈值，造成器件受损失效。

机制二：功率环路与驱动环路的耦合噪声（米勒效应与地弹）

原理A：通过Cgd的容性耦合（米勒效应）

1. 在开关过程中，漏-源（或集-射）电压Vds剧烈变化（高dV/dt）。

2. 这个变化的电压通过栅-漏（或栅-集）寄生电容Cgd，在栅极驱动回路中注入一个位移电流：i = Cgd * dVds/dt。

3. 此电流流经驱动电阻Rg和寄生电感，会在栅极上产生一个电压尖峰。在关断过程中尤为危险：Vds上升时的dV/dt通过Cgd产生一个上拉Vgs的电流，可能导致“米勒平台”后的电压凸起，如果超过阈值Vth，就会引发桥臂直通。

原理B：功率回路di/dt在源极电感上产生地弹

1. 功率回路（高电流、高di/dt环路）包含寄生电感（Lpower）。

2. 根据公式 V = Lpower * di/dt，功率电流的快速变化会在功率回路寄生电感上产生感应电压。

3. 关键点：MOSFET的源极引脚（对于低侧驱动）或发射极，并非理想的“地”。它与系统参考地之间存在寄生电感（Ls）。

4. 当巨大的di/dt流过Ls时，会在源极S和系统参考地GND之间产生一个电压尖峰V_Ls = Ls * di/dt。这使得驱动芯片“看到”的源极电压瞬间高于实际参考地。

5. 后果：驱动芯片以自身GND为参考输出驱动电压Vdrive，而MOSFET的阈值Vth是以其源极S为参考。地弹电压V_Ls会等效于抬高了MOSFET的源极电位，导致实际有效的栅源电压Vgs_eff = Vdrive - V_Ls 减小，可能引起关断变慢；更严重的是，如果地弹电压通过驱动芯片的电源或地引脚耦合进去，可能扰乱其内部逻辑，导致误动作。

铁氧体磁珠对EMC和栅极振荡的抑制

如第二节所展示的内容，铁氧体磁珠的电阻值随频率变化，对发生振荡的高频信号有很好的抑制作用，能保留KHZ级的信号波形。相比于直接使用电阻的方式，不会增加开关损耗使功率器件发热，使方案设计的工作频率进一步上升。

对比实验：在图2中可见，该功率器件在开关过程中栅极均有明显的振荡现象，且该功率器件VCE也有明显的连续振荡，该异常波形非常容易使功率器件在使用过程中发生直通甚至失效。在图3中，通过在栅极管脚串入磁珠，可见多种振荡均被有效抑制，一方面降低了使用过程中的EMC干扰，另一方面提升了整体应用的可靠性。

图2 无铁氧体磁珠

图3 管脚套铁氧体磁珠

磁珠的选择方案

铁氧体磁珠的主要参数有：Z（总阻抗）、X（电抗分量）、R（电阻分量）以及饱和电流。

我们在选择铁氧体磁珠的时候，主要关心的应该为：1.选择产品的阻抗值是否能覆盖振荡频率，以及低阻抗是否能覆盖信号频率。2.饱和电流是否能覆盖栅极电流峰值。

图4 ZXR阻抗示例图

在大多数情况下，功率器件所表现的振荡频率为10MHZ-50MHZ，在测试EMC时功率器件发出的噪声频率为40MHZ-60MHZ，而应用频率一般在百KHZ内。栅极电流峰值由选择的驱动IC和功率器件共同决定，市面上常见的驱动IC峰值电流普遍能达到2A甚至6A，对于一般大电流的功率器件来说，充放电的峰值电流也能接近500mA。

所以在选择铁氧体磁珠的时候，期望的产品应表现为1MHZ附近无限趋近于0，但是在10MHZ以上时迅速上升，饱和电流应取决于设计方案的驱动IC和功率器件大小，建议值在1A以上。