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锂电池保护电路详解:R5421芯片与MOSFET应用

一、 锂电池保护工作原理分析

锂电池在使用过程中容易出现以下几个问题:过充、过放、过温、过流、短路及永久失效,所以在锂电池的应用中都必须加入锂电池保护电路,在锂电池保护电路中,可以应用到MOSFET的地方有三个位置:充电电路中、放电电路中及FUSE控制电路中。

锂电池保护电路原理分析如下(以锂保芯片R5421为例):

R5421锂保芯片是通过检测保护电路当前的电压、电流、时间等参数以此来控制场效应管的开关状态,它的典型应用电路如下:

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R5421芯片管脚功能描述如下:

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正常情况下,电路中的Cout和Dout管脚都输出高电平,充电和放电管理电路中的MOSFET全部处于导通状态,电池可以正常进行充电和放电,下面针对过充保护和过放保护电路分析如下:

1、过充电保护电路

当检测到电池电压超过电压门限值时,Cout引脚电平从高电平切换到低电平,从而使得充电电路中的MOSFET管关闭,停止锂电池充电,并且由于MOSFET自身的体二极管的原因,电池可以通过这个体二极管对负载进行放电;另外,在检测到电池电压超过门限值到关断充电MOSFET需要一定的时间,这个时间由R5421芯片第4管脚连接的输出延时调节电容决定,这个时间不能太长也不能太短,太长容易导致保护起不了作用,太短会由于干扰的原因造成误判断。

2、过放电保护电路

电池在对外负载进行放电过程中,其电压会随着放电过程逐渐降低,当电池电压降到电池的门限值时,电池容量已经被放光,此时继续放电将造成电池永久损坏。当检测到电池电压低于门限值时,R5421的Dout引脚将由高电平变为低电平,从而使得放电电路中的MOSFET管关闭,停止电池放电,起到放电保护作用,由于MOSFET自身的体二极管的原因,充电器可以通过这个体二极管对电池进行充电。

3、过电流保护电路

由于锂电池的化学特性,电池放电电流最大不能超过2C(C=电池容量/小时),当超过这个电流值时,将引起电池永久损坏。

放电电流在经过串接的两个MOSFET时,由于MOSFET的导通阻抗,会在MOSFET两端产生一个电压,电压值为U=2*I*Rds,R5421的管脚V-对该电压进行检测,当电路回路由于其他原因导致回路电流过大,当这个电流达到V-引脚电压大于门限值时,R5421的Dout引脚将由高电平降为低电平,此时放电电路串接的MOSFET将关断,放电回路被切断,起到过电流保护作用。

4、短路保护

电池在放电过程中,如果回路中使得R5421的管脚V-检测到的电压值达到短路判定门限值时,回路将被认为短路,此时R5421的Dout引脚将快速由高电平变为低电平,使得放电回路中的MOSFET关断,放电回路被切断,起到短路保护作用。短路保护要求的时效性极高,保护时间极短。

5、过温保护

锂电池的过温保护主要是通过在电路中增加一个NTC热敏电阻实现,随着温度的升高,热敏电阻阻值会下降,当阻值下降到所设定的过温保护门限值时,MCU控制关机,起到过温保护作用。另外也有一些锂电池保护方案中采用热保险丝进行过温保护,但是由于热保险丝受外部影响比较大,容易造成误动作。另外一种过温保护是通过在回路中串接PTC/MHP可恢复保险器件进行保护,当温度急剧升高时,PTC/MHP保险器件呈现高阻状态,阻碍电池的充放电。

以上5大保护功能是锂电池保护电路中所必须的,其中过充、过放、过电流及短路保护需要用到MOSFET的参与,根据不同的应用需求,所需要的MOSFET Vd/Id也不同,在后面的部分会总结一下我们公司目前应用在锂电池保护中的MOSFET。

二、 锂电池保护方案比较

1、保护IC + MOSFET+保险丝

保护IC + MOSFET管组合是为了针对过充、过放、过流及短路进行保护的,FUSE是针对过温问题进行保护的,FUSE有三种:热保险丝、普通电流保险丝、慢断型电流保险丝。热保险丝可以较好地保护电池芯由于发热而导致的起火爆炸,并且成本较低。但是由于电流大小、环境温度、电路板温度及电池芯温度都容易引起热保险丝的误动作,热保险丝的不可恢复特性使得该方案应用存在一定的局限性。

普通电流保险丝成本低,但由于其不能感测电池芯的温度,电池短路时容易烧断保险丝导致电池报废,这种方案应用于低端锂电池中。

慢断型电流保险丝的动作时间长于保护IC+MOSFET管组合对过电流的保护时间,这就保证了保护IC+MOSFET管组合作为主动器件的第一级保护作用,在过流时不会触发电流保险丝的动作。此种方案对电池芯的过充保护效果不佳。

2、保护IC+MOSFET+PTC/MHP

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为了保证锂电池在一级保护(保护IC+MOSFET管)失效的情况下能够安全充放电,在电路中增加了一组被动保护组件,使用可恢复保险器件(PTC或MHP)检测电池芯的温度。当温度异常升高时,PTC或MHP立刻呈现高阻状态,阻碍电池的充放电,从而防止锂电池起火爆炸。

3、双保护IC+MOSFET

采用双重主动器件保护可以提高保护组件的可靠性,降低保护组件的失效概率,但该保护在过温保护方面不太完善。

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不论何种原因,锂电池的起火爆炸都表现为电池温度的急剧升高,如果没有被动组件(PTC/MHP)感测电池温度,即使双重保护也不能防止电池的起火爆炸。

双重保护电路大大地降低了过充过放、短路等的发生概率,但是对于电池本身存在的问题没有效果。

基于上述几种方案对比,保护IC+MOSFET管+PTC/MHP保护方案更能有效地防止锂电池的起火爆炸。这种方案应用最广泛,性价比也最高。

三、 适用于锂电池保护方案应用的新洁能沟槽型低压MOSFET

Dual N 16-20V 塑封系列:

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Dual N 12-20V CSP系列:

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N 30/40V 中大功率系列:

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原文标题:锂电池保护应用原理分析及沟槽型MOSFET对应

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