近日，存储芯片设计公司芯天下技术股份有限公司向港交所递交上市申请书。

芯天下专注代码型闪存芯片的研发、设计和销售，以Fabless模式为客户提供从1Mbit至8Gbit宽容量范围的代码型闪存芯片。根据灼识咨询的资料，该公司是业内代码型闪存芯片产品覆盖最全面的少数厂商之一，也是国内少数能同时满足客户NOR Flash和SLC NAND Flash产品需求的厂商。

芯天下主要提供代码型闪存芯片、模拟芯片及MCU。这些独立功能单元可与闪存芯片产品形成协同效应，通过优化产品应用性能为客户提 供更具成本效益的可靠解决方案。我们的产品具有性能指标优异、可靠性高、兼容性 强等特点，被广泛应用于网络通讯、AI通讯、消费电子产品、智能家居、物联网、工业 医疗、汽车电子产品及计算机与周边设备等多个领域。

2025年前9个月实现扭亏

营收和净利润方面，芯天下于2023年、2024年及截至2025年9月30日止九个月的收入分别为人民币662.9百万元、人民币442.1百万元及人民币379.1百万元。同期，毛利分别为人民币102.7百万元、人民币61.9百万元及人民币71.3百万元，相应毛利率分别为 15.5%、14.0%及18.8%。

于2023年及2024年分别录得亏损净额人民币14.0百万元及人民币37.1百万元。截至2025年9月30日止九个月，录得净利润人民币8.4百万元，而 2024年同期则录得亏损净额人民币18.8百万元。

芯天下的营收主要来自NOR、SLC NAND及MCP产品，以及模拟IC和MCU产生收入。

图：各产品线销售金额

图：各产品线销量及平均售价

图：各产品线毛利润

来自销售代码型闪存芯片的收入分别占往绩记录期各期间总收入约95.6%、94.5%及93.8%。

图：代码型闪存芯片营收占比超90%

代码型闪存芯片市场

全球闪存芯片的市场规模预计将于2030年达888亿美元，2024年至2030年的复合年增长率达4.5%。在此情况下，AI技术在边缘设备中的加速渗透为代码型闪存芯片带来强劲的市场动能，该种芯片为提升本地化代码存储与执行的即时效能及可靠性的关键元件。因此，代码型闪存芯片的整体闪存芯片市场份额持续增加，由2020年的6.1%增至2024年的7.2%，并预期于2030年达9.3%。

代码型闪存芯片主要分为NOR Flash和SLC NAND Flash两类。NOR Flash通常用于中小容量代码的存储和快速读取，以及5G基站、汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景；SLC NAND Flash通常用于大容量代码的存储和快速擦写操作。

以收入计，全球NORFlash和SLC NAND Flash的市场规模分别从2020年的19亿美元和17亿美元增长至2024年的28亿美元和21亿美元，预计将于2030年分别增长至44亿美元和39亿美元，2024至2030年复合年增长率分别达到8.1%和10.4%。

随着各行业数字化、智能化进程的推进，全球范围内各个下游应用场景对代码型闪存芯片的需求不断增长，推动市场规模持续扩容。其中，网络通讯、智能家居、工业、消费电子、汽车电子是当前代码型闪存芯片的核心应用场景，2024年对应的市场规模占整体代码型闪存芯片市场规模分别为21.6%、6.8%、15.7%、25.2%及21.7%。

中国作为全球领先的制造大国，其庞大的智能终端制造需求为代码型闪存芯片带来了广阔的市场机遇，推动代码型闪存芯片市场规模不断扩张。2020年至2024年，中国代码型闪存芯片市场规模从19亿美元增至26亿美元，复合年增长率为8.9%。预计到2030年，中国代码型闪存芯片市场规模将达到46亿美元，占全球市场的55.4%，复合年增长率为9.9%。与此同时，中国芯片企业凭借对本土应用场景的深刻理解、核心技术的持续研发突破以及产业链协同能力的稳步增强，在产品性能和成本效益方面的竞争力显着提升，进而受到下游厂商的青睐，自身市场份额预计也将随之显著扩大。

2024年以收入计，全球代码型闪存芯片市场的无晶圆厂企业市场规模达1,427.8百万美元。2024年以代码型闪存芯片收入计，芯天下在全球所有无晶圆厂企业中排名第六，市场份额为3.7%。

2024年，以收入计全球SLC NAND Flash及NOR Flash市场的无晶圆厂企业市场规模分别达到463.2百万美元及964.6百万美元。于2024年，以SLC NAND Flash收入计，芯天下在全球所有无晶圆厂企业中排名第四，市场份额为6.6%。于2024年以NOR Flash收入计，芯天下在全球所有无晶圆厂企业中排名第五，市场份额为2.3%。

产品系列

NOR Flash：芯天下NOR Flash产品存储容量介乎1 Mbit至2 Gbit，专为存储及高速随机存取中小容量代码而设计。我们提供多元化的NOR Flash产品组合，采用ETOX与 NORD工艺平台，以实现可靠性、低功耗与紧凑设计的最佳平衡。我们的NOR Flash产品 的优秀性能使其适用于多种不同应用领域，包括通信基础设施、工业电子产品及大众 市场的消费电子设备。

SLC NAND Flash：我们的SLC NAND Flash产品主要采用2xnm工艺节点，存储容量介乎1 Gbit至8 Gbit，与NOR Flash相比存储容量与成本效益均更高。利用专利错误校正技术，我们的SLC NAND Flash产品提供稳定性能与长期数据完整性，同时维持低功耗。该等特点使我们的SLC NAND Flash适用于需要在持续运作环境下维持高稳定性与能源效益的应用。

MCP：为应对在小型产品中对高速数据传输日益增长的需求，我们亦将SLC NAND Flash与DRAM集成以开发MCP解决方案。

其他模拟芯片：我们的模拟芯片产品线涵盖电机驱动芯片和电源管理芯片。我们的通用型电机驱动芯片可用于驱动直流有刷电机以及步进电机，满足多样化的电机控制需求。我们的电源管理芯片主要覆盖充电管理芯片、DC-DC转换器、线性稳压器以及过流 过压保护器。

MCU：我们提供8bit及32bit MCU，主要用于各大家电。MCU在与我们的闪存芯片及模拟芯片搭配使用时形成一个完整的功能单元，可以满足客户多样化的应用需求。

优化高可靠性、高集成、大容量等技术方向

芯天下致力推动行业的技术进步和生态建设。是国家行业标准《半导体集成电路快闪存储器(FLASH)》的主要参与制定者，与行业伙伴在产品定义、关键技术要求、测 试检验方法等方面共同推动中国快闪存储器技术规范的标准化进程。以一线客户需求为导向，聚焦行业痛点问题，持续开展技术创新和产品迭代，在多个方向实现技术突破，引领行业往高可靠性、高集成、大容量等方向发展。

• 高可靠性技术： 针对NOR Flash业界长期存在的「单比特电荷丢失」难题，公司自主研发增强型闪存编程技术。亦通过创新性地设计擦写状态实时监控和记录机制，结合擦除冗余备份，实现对坏块区域的无感修复和动态替换。因此，这些技术将NOR Flash的擦除寿命有效延长2倍，提升了产品可靠性。结合主芯片主动管理方案，有效解决各类因素导致的电荷丢失问题。在基站通信、服务器、工业照明控制等需要存储芯片在高温环境下长期工作且保持高 可靠性的应用场景，该技术显著提高了存储芯片的数据保持能力，使超长时间数据存储的失效比例趋近于0 PPM。

• 先进封装与集成设计：2016 年，芯天下推出全球尺寸最小的BGA24 封 装SLC NAND Flash，在同等容量条件下实现PCB占用面积缩减70%。2020年，创新推出业界首款的NOR MCP集成化产品，将NOR Flash和PSRAM集成为MCP模 组，满足物联网行业对芯片小型化的迫切需求。2019年和2022年，先后在 32Mbit和 64Mbit容量段率先分别推出DFN8 2x3x0.55mm和DFN8 2x3x0.4mm NOR Flash产品，同时缩小了芯片面积和封装面积，成为当时行业内55nm工艺NOR Flash中尺寸最小的产品。2019年，获评年度最佳国产存储芯片产品奖， 精准匹配下游智能穿戴产品轻薄化发展趋势。2022年，芯天下通过优化芯片设 计和采用先进封装方式，率先实现2Mbit全球最小尺寸和最小功耗的FODFN6 1.2x0.7x0.4mm NOR Flash的量产，持续强化其在芯片尺寸和集成度方面的领先优势。

• 大存储容量： 面向系统启动速度快、可靠性要求高，且固件及代码量大的应用 场景，高可靠性、大存储容量的SPI NOR Flash产品长期被海外厂商垄断。我们 通过封装技术创新，采用多芯片堆栈封装设计，在不增加芯片面积前提下实现 容量提升，并引入位线冗余和存储阵列冗余设计来提升大容量产品的量产良率。 已成功实现基于ETOX 55nm工艺的512Mbit、1Gbit及2Gbit SPI NOR Flash的 量产，成为国内唯二能够提供2Gbit超大容量SPI NOR Flash的存储芯片设计公司，被广泛应用于通信基站、AI服务器等应用场景。

凭借卓越的产品性能、高可靠性和成本优势，芯天下的产品已成功进入包括全球五大通讯设备厂商、全球三大OLED显示设备厂商和全球三大家电厂商在内的全球多领域蓝筹客户的供应链体系并稳定合作，实现大批量交付和广泛应用。截至2025年9月30日，芯天下产品已被超过2,300家终端客户应用于多元化的应用领域，涵盖网络通讯、AI通讯、消费电 子产品、智能家居、物联网、工业医疗、汽车电子产品、计算机与周边设备等。

工艺平台比较

与传统的ETOX工艺相比，NORD平台在功耗、擦写性能、数据保持力和单元尺寸方 面具有显著优势。相较于SONOS平台，NORD平台在高温可靠性方面表现优异，特别适 用于反覆擦写、高温和高可靠性的应用场景。根据灼识报告，行业内基于NORD工艺平 台开发的NOR Flash产品在-40ºC至125ºC宽温范围内表现出优异的数据保持力，单颗芯片支持超过20万次的擦写寿命，在25ºC环境下数据有效性可超过20年，最高可达50年。运用NORD工艺平台，可进一步提升产品性能，从而扩展在通讯基站与汽车电子等高门槛领域的可触达市场。通过利用NORD技术实现更小的存储单元尺寸和更少的光罩层数，亦降低了芯片制造成本、实现成本优化和改善产品毛利率。

• 大容量覆盖：在NOR Flash领域，基于成熟的ETOX工艺平台，芯天下已构建1Mbit 至2Gbit的大容量产品系列。此外，在NORD技术上取得突破，已实现65nm 制程64Mbit容量的生产，55nm制程128Mbit至2Gbit产品研发取得关键性进展， 将在中小容量领域为客户提供更具成本竞争力、更高可靠性和更低功耗的产品选择。在SLC NAND产品在线，其产品容量范围覆盖1Gbit至8Gbit，并在 20nm先进工艺节点布局大容量的32Gbit产品研发，为新一代通信领域等高端应 用场景打开市场。

• 全电压适配：公司闪存产品支持3.3V标准电源供电（适用于光纤网络单元、 路由器和其他通讯设备）、1.8V锂电池供电（适配可穿戴设备、通信基站等）以 及1.65V至3.6V宽电压范围应用。

借鉴全球领先的通用型芯片公司的发展经验，芯天下提出「存储+」战略，将业务拓展至模拟芯片和MCU领域。构建了从「供 电（输入）— 控制 — 存储 — 驱动（输出）」的完整解决方案，为客户提供更全面的产品支持，进一步提升客户黏性和单客户价值。 此外，「AI+」战略专注于开发CIM AI芯片。AI硬件端的迭代升级对代码型闪存芯片的性能、 可靠性及信息安全提出更严格的要求。公司优化边缘AI的产品性能，向高速读取、低延时、高可靠性、高安全性方向进行技术突破和产品迭代。这些技术突破将支持设备实 现低功耗、实时推理与边缘计算能力。同时，在摩尔定律逼近物理极限的背景下，CIM架构已成为提升计算能效的关键技术路径，芯天下将基于新型存储器ReRAM研发CIM AI 芯片，为主控芯片提供功耗更低、效率更高、成本更优的AI算力，以满足物联网、可穿戴设备、智能家居等边缘计算场景的AI算力需求和信息安全需求。