兆易创新：明年自研LPDDR4X量产，规划小容量LPDDR5X

电子发烧友网综合报道，11月24日，兆易创新高管在2025年第三季度业绩说明会上表示，公司利基型DRAM产品量价齐升，公司今年新量产的DDR4 8Gb较快抢占份额，进入第三季度销量已经与DDR4 4Gb基本相当。明年公司将实现自研LPDDR4X系列产品的量产，并着手规划LPDDR5X小容量产品的研发。

公司利基型DRAM产品今年一季度末价格回暖，下半年利基型DRAM收入有明显增长。2025年公司利基型DRAM业务营收有望超预期达成本年初计划同比增长50%的目标，本年下半年利基型DRAM收入有明显增长，有望超越MCU业务成为公司第二大产品线。

Flash同样受益于存储周期的改善，源于在AI基建中，对NAND Flash有源源不断的需求。NAND Flash主要用于存储温数据及冷数据，存储数据量巨大，同时擦写次数相对有限，对NAND Flash的需求量在不断加大。海外大厂都在将重心从2DNAND向3D NAND迁移，从而带来2D NAND相对明显的短缺。在此背景下，公司的SLC NAND产品开始涨价。

NOR Flash已经处于相对成熟发展阶段，行业的增长主要来源于代码量的提升，当前端侧AI的发展进一步推动NOR Flash容量需求的提升，近期三方咨询机构已经把行业CAGR从5~7%上调至8%。NOR Flash也处于为温和涨价周期中，源于产能端的紧缺，公司顺应市场需求变化对价格做出适当调整，9月开始陆续落地。本年初预计NOR Flash收入同比增长10%，目前看有信心实现目标。

定制化存储解决方案进展顺利，进入年末，陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段，明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。长期来看，我们坚信这一技术路线在端侧AI会得到广泛应用，在AI大发展的时代，定制化存储的市场空间潜力非常大。在这一领域，公司凭借自身的研发实力和先发优势，有望占据重要地位。

兆易创新高管表示，目前我们对存储周期的看法相较今年上半年更加乐观。美国科技巨头推动AI基建，算力增长对存储的需求量进一步显著提升，且科技巨头所宣布的产能需求相较于主要存储厂商实际计划增加的量还要大。

展望明年，预计NOR Flash和SLC NAND Flash毛利率温和提升。利基型DRAM市场呈现明显的供不应求现象，初步预计涨价趋势在未来的两个季度有望得以延续，并在明年后续几个季度维持相对较高的价格水平。另外，公司将结合实际经营需求与DRAM核心供应商积极协商，争取得到产能支持。此外，MCU毛利率保持平稳。

兆易创新高管表示，多年来，公司共对长鑫科技累计总投资金额23亿元。公司与长鑫科技开展业务合作，长鑫科技的良好发展，为公司利基DRAM产品提供较好的产能支持。公司利基型DRAM产品量价齐升，公司今年新量产的DDR4 8Gb较快抢占份额，进入第三季度销量已经与DDR4 4Gb基本相当。明年公司将实现自研LPDDR4X系列产品的量产，并着手规划LPDDR5X小容量产品的研发。

公司NAND Flash产品属于SLC NAND，在消费电子、工业、汽车电子、通讯等领域已经实现了全品类的产品覆盖。未来公司将积极把握行业供给格局变化的机遇，在2D NAND领域研发更高存储密度的产品，但公司并无3D NAND的产品规划。