半导体与集成电路
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onsemi NTMFS003P03P8Z P沟道MOSFET：技术特性与应用指南
onsemi NTMFS003P03P8Z P沟道MOSFET是一种单通道、-30V MOSFET，尺寸为5mmx6mm，可节省空间并具有出色的热传导性能。这款P沟道MOSFET具有1.8mΩ...
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MDD30P04D+SS310：清洁电器智能充电解决方案详解
随着生活水平的提高和智能家居概念的深入人心，清洁家电正以前所未有的速度走进千家万户。据统计，全球智能扫地机器人市场规模已超过百亿美元，在...
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调控表面粗糙度：钙钛矿/硅叠层电池达32.6%效率
钙钛矿-硅叠层太阳能电池已突破单结器件的效率极限，具备大规模应用前景。目前研究主要集中在钙钛矿顶电池及其界面优化上，而硅底电池的关键作...
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DDRX SDRAM预取技术详解：从DDR1到DDR5的性能提升
以下文章来源于郝旭帅电子设计团队，作者郝旭帅 本篇主要是DDRX SDRAM中的预取技术说明 DDRX SDRAM外部接口数据传输率需要不断提高(从D...
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碳化硅MOSFET串扰：详解dv/dt干扰路径与抑制策略
以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体器件应用越来越广泛，成为高压、大功率应用（如电动汽车、可再生能源并网、工业驱动等）的核心器件。碳化硅...
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SiC碳化硅MOSFET微观动力学：基本半导体B3M系列详解
基本半导体B3M系列SiC碳化硅MOSFET微观动力学综述：开关瞬态全景解析 BASiC Semiconductor基本半导体一级代理商倾佳电子（Changer Tech）是一...
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800V HVDC与±400V架构对比：碳化硅MOSFET赋能数据中心
下一代AI数据中心能源架构战略研究报告：800V HVDC与±400V架构的本质博弈及碳化硅MOSFET的关键赋能 BASiC Semiconductor基本半导体一...
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存储器详解：DRAM、SRAM、ROM及FLASH技术解析
第20章 常用存储器介绍 20.1 存储器种类 存储器是计算机结构的重要组成部分。存储器是用来存储程序代码和数据的部件，有了存储器计...
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安森美SiC JFET：固态断路器性能提升的关键
输配电系统与各类灵敏用电设备的安全运行，离不开对长时间过载与瞬态短路故障的妥善防护。这些风险若未及时管控，轻则导致设备损坏，重则引发系...
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SiC碳化硅MOSFET取代IGBT：电力电子变换核心拓扑详解
倾佳电子杨茜SiC碳化硅MOSFET销售团队培训教程：电力电子变换核心拓扑与宽禁带半导体应用 BASiC Semiconductor基本半导体一级代理商倾佳...
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Wolfspeed碳化硅功率模块：功率循环与寿命建模详解
碳化硅功率模块可靠性：Wolfspeed 的功率循环与寿命建模方法 Mauro Ceresa，Wolfspeed 现场应用工程高级总监 Robert Shaw，Wolfspeed 功率...
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MOSFET脉冲I-V特性表征：KickStart软件详解
引言 在晶体管器件的研发阶段，制造商通常需要对设计原型进行电学特性评估。直流（DC）测试是最常见的方法，但对于许多半导体器件而言，只有脉冲...
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CYPRESS FRAM提升EDR高速数据写入：非易失性存储解决方案
事件数据记录器（EDR）作为工业控制、汽车安全、航空航天等领域的核心设备，承担着实时记录运行参数与异常事件的重任。传统硬件方案如EEPROM写入...
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高速射频ADC窄带匹配新方法：提升性能减少停机时间
在上期中，我们探讨了优化放大器电路中的输入和输出瞬态稳定时间。 本期，为大家带来的是《用于窄带匹配高速射频 ADC 的全新方法》，介绍了一...
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存储芯片在AI计算中的应用：2025年最新技术详解
2025 年下半年以来，全球 DRAM 内存价格大幅上涨，部分型号售价一度达到往常的两倍以上。业内分析普遍认为，这场涨价潮主要由 AI 算力需求的爆...
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中微爱芯运放：信号放大与电流检测详解
一、运放的常用用法 运算放大器常作为一种高增益、差分输入、单端输出的电路，在模拟电路与信号处理系统中有多种用法。 最基本的用途是...
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DRAM存储器详解：组织结构与读取原理
文章来源：十二芯座 原文作者：MicroX 本文介绍了DRAM的结构和读取原理。 DRAM 组织结构 DRAM 被组织成层次化的阵列，总共由数十亿...
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SiC MOSFET可靠性测试：三菱电机最新技术详解
SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能，因此在质量保证方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技术实现稳定的品质，而SiC则需要更严格的品质...
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SiC器件提升数据中心效率：派恩杰解决方案详解
从传统互联网数据中心(IDC)到人工智能数据中心(AIDC)的演进，本质上是一场能源效率与算力密度的极限竞赛。AI算力的爆发正将数据中心推向“...
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3D NAND存储突破：计量技术助力下一代NAND闪存
作者：Laura Peters文章来源：SEMICONDUCTOR ENGINEERING每一代3D NAND闪存的存储容量都比上一代增加约30%，目前的芯片尺寸仅相当于指甲盖大小，却...