安森美4N35光耦合器是通用型光耦合器，由驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管组成。这些光耦合器采用6引脚双列直插式封装 (DIP)。4N35光耦合器在IF = 10mA、VCE = 10V时的电流传输比极小。这些器件的工作温度范围为-55°C至+110°C。4N35光耦合器非常适合用于电源稳压器、数字逻辑输入、微处理器输入和电源监控器。
数据手册；*附件：onsemi 4N35光耦合器数据手册.pdf
安森美4N35光耦合器技术详解及应用场景
相关标签：
暂无标签
相关推荐
产业分析 调控表面粗糙度：钙钛矿/硅叠层电池达32.6%效率
钙钛矿-硅叠层太阳能电池已突破单结器件的效率极限，具备大规模应用前景。目前研究主要集中在钙钛矿顶电池及其界面优化上，而硅底电池的关键作用却未得到充分探索。美能QE量子效率测试仪可用于精确测量太阳电池的
213
2026-01-14
产业分析 MDD30P04D+SS310：清洁电器智能充电解决方案详解
随着生活水平的提高和智能家居概念的深入人心，清洁家电正以前所未有的速度走进千家万户。据统计，全球智能扫地机器人市场规模已超过百亿美元，在这一快速发展的市场中，产品的可靠性、安全性和智能化水平已成为消费
165
2026-01-14
产业分析 800V HVDC与±400V架构对比：碳化硅MOSFET赋能数据中心
下一代AI数据中心能源架构战略研究报告：800V HVDC与±400V架构的本质博弈及碳化硅MOSFET的关键赋能 BASiC Semiconductor基本半导体一级代理商倾佳电子（C
165
2026-01-12
产业分析 晶体管转移特性曲线详解：核心参数及应用
本文详细介绍了晶体管的转移特性曲线及其核心参数的意义，包括阈值电压、亚阈值摆幅、跨导和导通电流。这些参数对芯片性能和功耗管理至关重要。
163
2026-02-26
产业分析 onsemi NTMFS003P03P8Z P沟道MOSFET：技术特性与应用指南
onsemi NTMFS003P03P8Z P沟道MOSFET是一种单通道、-30V MOSFET，尺寸为5mmx6mm，可节省空间并具有出色的热传导性能。这款P沟道MOSFET具有1.8mΩ的超低R
157
2026-01-23
产业分析 SiC器件提升数据中心效率：派恩杰解决方案详解
从传统互联网数据中心(IDC)到人工智能数据中心(AIDC)的演进，本质上是一场能源效率与算力密度的极限竞赛。AI算力的爆发正将数据中心推向“电力极限”。当前国内IDC普遍采用的基于UPS的2N架
146
2025-12-24
产业分析 PD芯片解决OTG边充边传难题：高效数据传输与充电兼得
在移动办公、直播创作与数字摄影成为常态的今天，我们对智能设备的依赖早已超越单纯的通讯功能。但一个长期困扰用户的痛点始终存在：当用 OTG 技术连接 U 盘、麦克风等外设时，设备电量会飞速消耗，往往
145
2025-12-20
产业分析 SiC碳化硅MOSFET微观动力学：基本半导体B3M系列详解
基本半导体B3M系列SiC碳化硅MOSFET微观动力学综述：开关瞬态全景解析 BASiC Semiconductor基本半导体一级代理商倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导
144
2026-01-12
产业分析 AMC1203精密隔离式Δ-Σ调制器技术详解
该AMC1203是一种精密、电隔离的三角西格玛（ΔΣ）调制器。隔离屏障将系统中在不同共模电压水平下工作的部分分隔开来。隔离屏障对磁干扰具有高度抵抗力，并根据DIN EN IEC 60747-17（VD
143
2025-11-26
产业分析 AEC-Q007标准下的板级可靠性（BLR）测试：流程、方法及应用
在汽车电子领域，IC与PCB的焊点是核心连接点，但易受振动、高低温等车载环境的影响，导致焊点疲劳、开裂，引发设备故障。为提前识别这一风险，板级可靠性（BLR）测试应运而生，用于验证焊点强度与稳定性
141
2025-11-26
产业分析 碳化硅MOSFET串扰：详解dv/dt干扰路径与抑制策略
以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体器件应用越来越广泛，成为高压、大功率应用（如电动汽车、可再生能源并网、工业驱动等）的核心器件。碳化硅MOSFET凭借低导通电阻、高开关频率和优异的耐高温性能，能够
139
2026-01-13
产业分析 半导体光放大器SOA增益特性的仿真与验证
----翻译自Farah Diana Mahad等人2015年文章 1.摘要 半导体光放大器SOA目前在一些通信网络中常被用作功率放大器或前置放大器。然而，在未来全光开关、再生以及波长转换
136
2025-11-26
产业分析 DDRX SDRAM预取技术详解：从DDR1到DDR5的性能提升
以下文章来源于郝旭帅电子设计团队，作者郝旭帅 本篇主要是DDRX SDRAM中的预取技术说明 DDRX SDRAM外部接口数据传输率需要不断提高(从DDR到DDR5)，内存芯片内部的DRA
133
2026-01-13
产业分析 DRAM存储器详解：组织结构与读取原理
文章来源：十二芯座 原文作者：MicroX 本文介绍了DRAM的结构和读取原理。 DRAM 组织结构 DRAM 被组织成层次化的阵列，总共由数十亿个 DRAM 单元组成，每个
133
2025-12-26
产业分析 ADC08D1520QML-SP 数据手册详解：8位双通道高性能ADC
该ADC08D1520是一种8位、双通道、低功耗、高性能的CMOS模拟转数字转换器，基于ADC08D1000平台构建。该ADC08D1520能够数字化信号，分辨率为8位，采样率最高可达1.7 GSPS
130
2025-11-26
产业分析 20Gbps TDP2044转接驱动器：技术详解与应用指南
TDP2044：20Gbps DisplayPort 2.1转接驱动器的技术剖析与应用指南 在当今高速数据传输的时代，DisplayPort 2.1技术以其高达20Gbps的传输速率，为高清视频和数据
129
2025-12-15
产业分析 FM24CL04B：4-Kbit F-RAM性能详解及应用
FM24CL04B：4-Kbit串行F-RAM的卓越性能与应用解析 在电子工程领域，非易失性存储器的选择对于系统的性能和可靠性至关重要。今天，我们将深入探讨FM24CL04B这款4 - Kbi
128
2025-12-10
产业分析 详解TI DAC5688：双通道16位800 MSPS数模转换器
该DAC5688为双通道16位800 MSPS的数模转换器（DAC），配备双CMOS数字数据总线，集成2x-8倍插值滤波器，配备32位复杂数控振荡器（NCO）的细频混频器，板载时钟倍增器，IQ补偿功能
123
2025-11-26
产业分析 ADS7884/ADS7885 模数转换器技术解析
ADS7884为10位、3MSPS的模数转换器（ADC），ADS7885为8位、3MSPS的ADC。这些设备包括基于电容的SAR 具有固有采样保持功能的A/D转换器。每个设备的串行接口由CS和SCLK
122
2025-11-26
产业分析 3D NAND存储突破：计量技术助力下一代NAND闪存
作者：Laura Peters文章来源：SEMICONDUCTOR ENGINEERING每一代3D NAND闪存的存储容量都比上一代增加约30%，目前的芯片尺寸仅相当于指甲盖大小，却能存储高达2TB
118
2025-12-24
评论区
登录后即可参与讨论
立即登录