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SiC功率器件领导者

日本领先的半导体和电子元器件公司,SiC功率器件技术全球领先。

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最新发布技术方案与资讯(6)

SiC SBD:第三代半导体的破局者

SiC SBD:第三代半导体的破局者

碳化硅(SiC)功率器件在高压和高温应用中展现出卓越的效率与性能,而传统硅基器件在这些领域则面临物理极限。 在各类SiC器件中,肖特基势垒二极管(SBD)被公认为最早问世的SiC功率器件,相关研究可追溯至1974年[1]...

搞懂这些材料 对设计电源和功率器件很重要!

本文介绍了电源领域硅、碳化硅、氮化镓三类主流功率半导体材料的核心性能参数、技术特性与适配场景,梳理了不同材料的优势与应用边界,同时针对性给出了碳化硅与氮化镓在功率电路设计中的关键注意事项及核心设计要点,指出其演进方向,即...

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