WBBGA及其细分类型封装工艺介绍
本文主要介绍了WBBGA及其细分类型封装工艺介绍。 WBBGA封装工艺 引线键合球栅阵列（Wire Bonding Ball Grid Array，WBBGA）封装是一种高密度表面贴装封装技术，核心特征为器件引脚全部集中在封装体底部，圆柱状焊球以阵列形式均匀分布，作为封装的I/O接口。相较于QFN封装，WBBGA封装的I/O数量大幅提升，能够满足大规模集成电路芯片的封装需求，适配高性能芯片的研发与
制造工艺
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制造工艺技术
微电子所在面向视觉AI芯片的单片三维异质集成技术领域取得进展
后摩尔时代，传统晶体管“几何微缩”进程持续趋缓，已成为制约高性能AI芯片实现经济性与规模化发展的核心瓶颈。以“韬（τ）定律”为代表的集成电路发展新范式应运而生，其通过3D堆叠多功能芯片，实现系统级延迟降低与等效集成密度的大幅提升。在边缘端，信息处理同样面临时延约束、功耗瓶颈与数据访存开销高等多重挑战，因此采用三维集成架构将传感单元、缓存单元与计算单元垂直堆叠于核心逻辑处理单元之上，构建“感存算一体
RTP如何快速冷却？
本文主要介绍了RTP如何快速冷却。 RTP的价值不只是快速升温，快速冷却同样关键。整个温度曲线必须尖锐，原因： 如果升温快但降温慢--》晶圆在高温停留时间仍然长--》掺杂原子继续扩散，热预算超标--》失去RTP控制热预算的意义 所以RTP要求升温和降温都快，形成一个尖峰状的温度曲线，冷却速率通常要求达到几十到上百°C/秒。 RTP三种散热方式？ 冷却的本质是把晶圆的热量快速带走。 | 传热方式
芯片先进封装的四种：CoWoS、CoPoS、Glass Core与CoWoP
本文将介绍四种芯片先进封装。 在先进封装领域，如何把多颗芯片（比如计算芯片和存储芯片）高效地拼在一起，不同厂商给出了不同的答案。图片展示了四种主流方案，它们在材料、结构和成本上各有取舍。 CoWoS CoWoS是目前最成熟的方案，台积电的拳头技术。它把HBM高带宽内存和逻辑芯片（Logic Die）并排放在一块硅中介层上，硅中介层内部有TSV（硅通孔）实现上下导通，然后再整体贴在有机基板上。硅中介
聚焦软件定义汽车架构变革 长电科技打造系统化车规级半导体封测能力
在全球汽车产业加速迈向智能化与数字化的背景下，软件定义汽车（Software-Defined Vehicle，SDV）正从单一功能升级路径，演进为整车级架构重构的重要方向。与传统汽车软硬件深度绑定的模式相比，SDV通过软硬件解耦，实现功能由软件定义并支持持续OTA升级，推动电子电气（E/E）架构向域集中及中央计算平台转型，使整车在功能迭代效率、系统复杂度和资源利用率等方面实现显著优化。 围绕软件
封装载板设计
本文主要介绍了封装载板设计。 概述 芯片封装载板是衔接芯片与外部系统的核心结构，其设计需兼顾电气性能、散热能力与机械可靠性，三者的协同优化效果直接决定整机系统的运行效率与稳定性。结合主流封装工艺与结构差异，封装载板设计可分为引线框架类封装设计与基板类封装设计两大类别，两类设计的技术要点、流程规范与优化方向存在明显区别。下面对其进行简单介绍。 引线框架类封装设计 现阶段引线框架类封装设计，普遍沿用
影响RTP冷却速率的因素
本文主要介绍了影响RTP冷却速率的因素。 一、热源关断因素 1. 灯的关断速度 冷却的起点是热源消失，灯关断越快，冷却启动越早。 2. 灯的余热辐射 灯关断后灯丝本身还有余温，会残留少量辐射，灯丝热容越小，余热影响越小。 二、辐射散热相关因素 3. 腔壁温度 晶圆靠向腔壁辐射散热，温差越大散热越快： 腔壁温度越低，辐射散热越强，水冷腔壁保持低温，持续吸热，腔壁温度高则散热慢 4. 晶圆发射率（
为什么AI芯片封装开始关注玻璃基板？
这几年，AI芯片越来越火，先进封装也越来越热。以前大家聊芯片，最关心的是几纳米制程、晶体管数量、算力有多强。但现在，一个新的问题开始变得重要： 芯片做出来之后，怎么把它们高效地连在一起？ 这就是封装的问题。 在AI芯片时代，封装不再只是“给芯片套个外壳”，而更像是给一座超级城市修地基、道路、桥梁和供电网络。城市越大，车流越密，道路系统就越关键。AI芯片也是一样，算力越强，芯片之间的数据流动越频繁
晶圆变“晶方”？AI封装火了，MEMS也能用吗？
本文将介绍半导体行业方形硅片。 近期半导体行业方形硅片批量交付的消息刷屏，不少人疑惑，几十年通用的圆形晶圆为何突然出现方形款，它会不会全面替代圆片，在MEMS 领域又有落地空间？ 晶圆和“晶方” 传统晶圆天生是圆形，硅棒经旋转提拉长成圆柱，切片自然呈圆形，全球整条光刻、清洗、机械手产线也都是围绕圆片设计，一直是芯片前道制造的主流。但随着AI大尺寸GPU、HBM、Chiplet普及，封装单元、中介
Electrical Die Sorting工艺介绍
EDS工艺 是在晶圆完成电路制造的FAB工序与最终封装工序之间进行的关键测试环节，也被称为晶圆测试或探针测试。其核心任务是通过电气特性检测，逐一判断晶圆上每个芯片是否达到所需的质量水平，筛选出合格与不合格产品，并对可修补的缺陷芯片进行修复，使其转为合格品。 这一工艺直接关系到半导体良率——良率即一片晶圆上实际合格芯片数量占设计最大芯片数的百分比，是衡量生产效率的直接指标。EDS不仅能在早期剔除不
芯片界的“背向革命”：让供电后撤，性能翻番
本文将介绍芯片界的“背向革命”。 在芯片制造的微观世界里，晶体管像是数亿个微型开关，而连接它们的金属线就像城市里的立交桥。过去几十年，供电和信号传输都挤在芯片的“正面”（晶圆表面）。然而，随着晶体管尺寸逼近物理极限，正面的“交通拥堵”日益严重——布线拥挤、电阻变大、热量堆积，直接拖累了芯片性能。 背面供电技术 为了破局，背面供电技术（Backside Power Delivery）成了近两年半导体
封装设计方法学演进
本文将介绍封装设计方法学演进。 芯片-封装-系统的联合设计模式已成为国内芯片设计领域的核心研究与应用重点。该模式通过芯片、封装、系统三大层级的跨维度协同优化，实现了芯片纳米级互连结构、封装毫米级物理架构与终端系统功能需求的深度融合，能够有效解决产品研发与应用中电学、热学、力学等多维度的技术难题，是支撑高端芯片高性能、高集成化发展的核心技术路径。 相较于先进的联合设计模式，传统芯片研发采用独立串行设
哪些半导体设备用到了超（兆）声波？
本文介绍了半导体设备关于超（兆）声波的使用。 一、先区分超声波与兆声波 两者频率不同，应用场景也不同： | 类型 | 频率范围 | 主要应用方向 | | 超声波（Ultrasonic） | 20 kHz – 1 MHz | 键合、清洗（较强机械作用） | | 兆声波（Megasonic） | 0.8 – 2 MHz（甚至更高） | 精密清洗（温和，无损伤） | 频率越高，空化泡越小，对器件损伤
氧化镓MOSFET：界面为何至关重要
β-Ga₂O₃正从实验室走向功率电子应用，但MOSFET性能受限于栅极界面质量。借鉴GaAs MOSFET的历史经验，通过界面工程与介质筛选优化亚阈值摆幅，有望实现增强型、高可靠性的器件平台。 得益于超宽禁带特性以及原生衬底的可用性，β-Ga₂O₃正从一种令人关注的实验室材料，逐步成为下一代功率电子领域一个值得认真对待的技术选项。对于致力于这一目标的研究人员和技术人员来说，核心问题已不再是氧化镓沟
半导体制造中给OHT系统是什么？
OHT天车系统是300mm晶圆厂物流主干，通过高架轨道搬运FOUP，日运量数十万次。其精度、振动与洁净度直接影响先进制程良率，国内厂商正加速追赶日系巨头，有望成为设备国产化的重要突破口。 在半导体制造领域，OHT（Overhead Hoist Transfer）即天车搬运系统，是一种安装于厂房天花板高架轨道上的自动化物料运输设备。该系统通过皮带驱动的提升部件直接进入加工设备的装载口，实现对前开式统
玻璃基封装载板：AI 芯片的下一代“地基”，到底难在哪里？
AI 大芯片与 Chiplet 集成规模持续扩张，传统有机封装载板在翘曲、布线、热稳定性上遇瓶颈，玻璃基载板凭借高平整、可调热膨胀、TGV 垂直互连成为新型封装地基。文章对比硅中介层、有机基板，拆解 TGV 量产核心难点，解读面板企业跨界逻辑与产业落地节奏。 过去聊 AI 芯片，大家最关心 GPU、HBM、先进制程。但随着芯片越做越大、Chiplet 越堆越多，另一个看似不起眼的环节开始变得重要
封装基板的分类及技术特性
高集成 SoC 推动 BGA 高密度封装普及，封装基板是核心承载构件。本文从基材、有无芯层、互连焊球三大维度完整划分基板品类，详解有机、陶瓷、玻璃三类基材特性、工艺路线与适用场景，对比有芯 / 无芯、BGA/LGA 基板结构优劣与技术迭代方向。 随着现代芯片集成度、运算规模持续提升，传统引线框架封装的引脚数量有限，已经无法适配高集成度、高性能芯片的封装需求。在此背景下，球栅阵列（BGA）高密度封
先进制程芯片的研发和生产，究竟难在哪里？
先纠正一个常见误解：3nm、5nm 不是尺子上真实的线宽，更像是工艺代际名称，代表晶体管密度、功耗、性能、设计规则和量产能力的一整套升级。公开资料看，台积电 3nm FinFET 工艺已在 2022 年进入高量产阶段，2nm N2 也已在 2025 年第四季度进入量产，并开始采用 nanosheet 晶体管结构。 所以问题的核心不是“能不能做出 3nm”，而是：能不能高良率、低成本、稳定地做出几千
半导体所高性能大面积钙钛矿太阳能电池研究取得进展
钙钛矿太阳电池是未来最具潜力的光伏技术之一，在地面电站、光伏建筑一体化以及空间能源供给等方面应用前景广阔。高效率大面积器件是钙钛矿太阳电池走向商业化的重要一环。目前实验室小面积电池光电转换效率已超过27%，但器件面积放大存在效率骤降的问题，其主要挑战在于器件面积制备中为提高钙钛矿薄膜均匀性，往往采用低浓度溶液降低溶液粘度，这一方法存在结晶窗口缩短、局部结晶过快问题，导致薄膜晶体质量较差以及模组效率
刻蚀后残留到底怎么判断？聚合物残留、金属污染和过刻不是一回事
刻蚀后残留到底怎么判断？聚合物残留、金属污染和过刻不是一回事 同样叫“刻蚀残留”，背后的原因可能完全不同。 有些残留来自聚合物沉积，有些来自金属或颗粒污染，有些其实不是残留，而是刻蚀不足、微遮蔽、过刻损伤或下层材料暴露后的形貌变化。如果一看到残留就直接加强清洗，可能短期看起来干净了，但真正的工艺问题并没有解决，甚至还会引入新的表面损伤。 所以，刻蚀后残留的判断，第一步不是问“怎么洗掉”，而是先判