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美光放弃未来4F² DRAM研发 称无密度优势且增加成本

美光在二十多年研究后放弃未来4F² DRAM。总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示,该架构没有实质性密度优势,增加制造复杂性和成本,并存在基本扩展限制。据TechInsights,三星和SK海力士仍在路线图中保留4F²。

英特尔Nova Lake裸片曝光:计算die用台积电N2P,SoC Hub等用18A-P

英特尔Nova Lake裸片曝光:计算die用台积电N2P,SoC Hub等用18A-P

英特尔Nova Lake移动处理器裸片曝光。HX版总硅面积360mm²,计算die 104mm²采用台积电N2P,图形die采用Intel 3-E,SoC Hub及外设die采用18A-P;H版276mm²,计算die 55mm²。