美光放弃未来4F² DRAM研发 称无密度优势且增加成本

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美光在周三活动上表示,经过二十多年评估,将放弃未来4F² DRAM技术路线。

  • 美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示:“美光发明了4F² DRAM。”该技术长期作为选项,但过去二十年因复杂性和成本增加而被评估后未采用。
  • 4F²理论上相比6F²可将存储单元面积缩小33%,但美光认为这一理论优势不一定转化为实际更高的存储密度。
  • DeBoer解释,决定晶圆上可容纳存储单元数量的是DRAM电容的尺寸和间距,而不是晶体管标称面积;4F²和6F²的晶体管结构都必须置于电容下方,仅缩小晶体管面积不能保证整体单元尺寸相应缩小。
  • 美光还认为,4F²会引入额外制造步骤和复杂性,增加成本,但没有足够收益,并存在基本扩展限制。
  • 据TechInsights,三星和SK海力士仍将4F²保留在路线图中,因此美光选择不同。几年前美光曾推迟EUV光刻引入,仍保持成本和性能竞争力,所以跳过4F²并非完全出人意料。

来源: SemiWiki

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