SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
01 SiC MOSFET的体二极管及其关键特性 无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示： 图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET 图2. 平面栅型MO
英飞凌工业半导体 订阅号
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专栏文章列表（27）
新品 | CoolMOS™ CFD7 SJ高压超结MOSFET 650V系列
新品 CoolMOS™ CFD7 SJ 高压超结 MOSFET 650V系列 650V CoolMOS™ CFD7是英飞凌最新高压超结MOSFET技术，集成快速体二极管，完善了CoolMOS™ 7系列产品，CoolMOS™ CFD7具备更低的栅极电荷(QG)
英飞凌与为光能源深度携手，共筑固态变压器（SST）高可靠新未来
近日，英飞凌科技(以下简称“英飞凌”)与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，
IPAC大会全面升级，2026年开启双技术峰会！
自2014年首届举办以来，IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会已走过十二载征程。我们始终以“驱动工业低碳转型”为使命，深耕零碳技术领域，累计吸引上万名行业精英、专家学者及企业代表参与，成为业内最具影响力的标杆盛会。 2026年，IPAC大会全面升级， 开启双技术
新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬电距离封装
新品 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin 高爬电距离封装 英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件，在第一代技术优势基础上实现
SiC MOSFET的并联设计要点
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景，往往需要千安级的电流输出，单管无法满足。因此，SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。 不管是
IPAC直播间丨英飞凌面向大功率组串式光伏的EasyHD3产品与应用
光伏系统在降低碳排放、提升电网可再生能源占比方面发挥着重要作用。在组串式光伏逆变器应用中，功率密度与系统效率不断提高的需求，持续推动着功率半导体器件的进步，英飞凌全新EasyHD3系列产品正是为了实现更高功率密度和更高效率的目标而推出的重磅产品。 直播主题：