用于固态变压器 (SST) 的 EasyPACK™ 模块介绍
本视频聚焦固态变压器（SST）应用，介绍英飞凌搭载CoolSiC™ MOSFET的EasyPACK™功率模块的解决方案。SST正在重塑高压输电与AI数据中心供电架构，设备需在快速、持续的动态负载下稳定运行并满足15–20年寿命。基于.XT扩散焊技术，EasyPACK™模块的功率循环能力提升20倍以上，在严苛工况下保持卓越稳定性；高效SiC MOSFET设计提升功率密度并简化拓扑，更适配SST。英飞
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当电机学会“思考”——Agentic AI与工业控制的三个关键环节
家里的扫地机器人能绕开拖鞋，但工厂里一台价值不菲的伺服电机，遇到轴承磨损会做什么？答案是：什么都不做。继续转，直到彻底损坏。 传统电机控制就像一个只会执行命令的士兵，哪怕轴承异响、温升异常、电流谐波已显露故障前兆，它也充耳不闻。不是不想管，是它的“大脑”里只有一套PID控制逻辑，没有理解信号的能力。 将Agentic AI（代理式人工智能）引入嵌入式控制架构，正在成为改变工业控制底层逻辑的关键趋
氮化镓之撸起袖子驱动GaN
上篇文章（参考阅读：氮化镓增强型GaN晶体管结构简介）已经就GIT电流型和SG电压型氮化镓晶体管的内部构造和工作原理进行了介绍，在此基础上，本篇将继续介绍其对应驱动电路的设计。 GIT电流型 GaN 晶体管的驱动电路 GIT型和SG型两种增强型的GaN器件的栅极电荷都远低于Si基的器件，一般用来驱动标准MOS管的门极驱动芯片都足够用来驱动GaN晶体管。但值得注意的是，增强型氮化镓的VGS(TH)阈
AI数据中心为何转向800V HVDC？解析数据中心电源架构与SiC/GaN技术趋势
随着数据中心AI负载所需功率的快速增加，服务器的供电架构也随之发展。当前每个机架包含供电单元PSU、备用电源BBU及AI负载等，单相PSU的功率也逐步从3.3kW提升至12kW。然而当机架功率水平超过250kW时，供电电源正转向采用专用机架(即sidecar)进行供电和备电配置，并逐步过渡到三相交流供电模式。最后，随着机架功率水平的持续提升，数据中心预将采用基于固态变压器（SST）的完全集中式高压
SiC SBD：第三代半导体的破局者
碳化硅(SiC)功率器件在高压和高温应用中展现出卓越的效率与性能，而传统硅基器件在这些领域则面临物理极限。 在各类SiC器件中，肖特基势垒二极管(SBD)被公认为最早问世的SiC功率器件，相关研究可追溯至1974年[1]。SBD很快便实现了广泛的商业化应用，尤其在电动汽车牵引逆变器和可再生能源装置等电源转换系统中。 SiC肖特基势垒物理原理 与依赖P型和N型半导体结的PN结二极管不同，SBD通过金
氮化镓增强型GaN晶体管结构简介
氮化镓晶体管内部构造简介 GaN 氮化镓晶体管（HEMT）的基本结构如下图1所示，以 GaN/AlGaN 异质结为主体，在AlGaN/ GaN的异质结界面处，由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应，形成了一层高电子浓度的导电通道——二维电子气（2DEG）；器件的最底层是衬底层(一般为Si材料，也有SiC或者GaN材料)，在其上外延生长出N型GaN缓冲层，外延生长的P型AlGaN势垒层，形成A
夏季热失控事故频发，48V架构能否成为电动汽车的“救命稻草”？
今年入夏以来，全国多地连续发布高温预警，电动汽车的“续航焦虑”再次被推上风口浪尖——但这一次，焦点不再是电池容量，而是热管理。 随着汽车电气化与智能化进程的加速，电驱系统功率密度大幅跃升，传统的12V低压架构在驱动电子水泵、冷却风扇、油泵等高功率附件时早已捉襟见肘——“热”不再只是舒适性问题，而是关乎整车安全与续航效率的核心命门。正是在这一背景下，48V架构凭借在传输效率与功率密度上的显著优势，成
深入解读SiC MOSFET栅极开关不稳定性(GSI)
在关于碳化硅（SiC）MOSFET 的栅极不稳定性的研究中，除了上期介绍的的 DC BTI，还有一种碳化硅专属的退化机制—— 栅极开关不稳定性（GSI），它在高频开关的实际应用中引发的参数漂移，远超传统 DC BTI 测试的结果，成为影响 SiC 器件长期稳定运行的关键问题。而英飞凌不仅是最早发现并命名 GSI 的企业，更通过深度研究、结构创新和工艺优化，实现了对 GSI 的极致控制，让 Cool
全面解析SiC MOSFET雪崩耐量
在新能源、工控、储能等高压大功率场景中，沟槽栅 SiC MOSFET凭借优异的开关性能被广泛应用。但在电机驱动、电源转换等感性负载场景中，MOSFET关断时因电流突变会在漏源极间产生高压尖峰。若无钳位电路吸收能量，器件可能进入雪崩击穿状态，轻则参数劣化，重则直接烧毁。雪崩稳健性是衡量 SiC MOSFET 可靠性的核心指标，今天结合实测案例与图表，拆解动态雪崩测试原理、单脉冲 / 重复雪崩耐量区
英飞凌深度解析：CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式
在碳化硅SiC MOSFET快速普及的今天，短路稳定性一直是行业关注与争议的焦点。很多工程师误以为：SiC MOSFET 天生扛不住短路，是硬缺陷。事实真的如此吗？ 英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原 CoolSiC™ MOSFET 短路特性的真相，帮你在选型与应用中少走弯路。 01 先澄清一个误区：SiC 不是 “不能短路” 先看一组行业常见数据： 常规工业级 IGBT：短路耐受
白皮书下载 | 深度解析为何SiC MOSFET必须构建专属可靠性验证方法？
在电力电子领域，SiC MOSFET正凭借高频、高效、高温的显著优势在新能源汽车、光伏储能、工业电源等核心场景加速渗透。SiC MOSFET能复用硅基器件(如垂直型MOSFET或IGBT)的许多基本的器件设计概念，另外用于验证Si MOSFET/IGBT长期稳定性的许多方法可以直接用到SiC MOSFET上。但更深入的分析表明，基于SiC的MOSFET还需要进行一些不同于Si器件的额外可靠性试验。
安富利基于英飞凌CTRX8188F推出4D成像雷达解决方案
在L2+级自动驾驶加速量产的今天，4D成像雷达的市场渗透率快速提升，正逐步成为主流智能汽车感知系统的“核心配置”——但行业始终面临着“芯片性能难落地、算法验证周期长、多芯片级联复杂度高”的三大痛点。 作为全球领先的技术分销商和解决方案提供商，安富利基于英飞凌CTRX8188F芯片推出了覆盖硬件集成、软件驱动、算法验证、系统级联的4D成像雷达解决方案。依托14.5dBm发射功率、4GHz超大带宽、8
英飞凌荣获“2026年度AI影响力奖”：AI赋能半导体制造，实现可衡量商业价值
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，凭借其“面向测试工程的生成式AI”（GenAI for Test Engineering）项目荣获“2026年人工智能影响力奖”。该奖项由德国《经理人杂志》（manager magazin）和保时捷管理咨询公司（Porsche Consulting）联合颁发，旨在表彰通过有针对性地应用AI而实现显著且可衡量商业影响力的企业。 英飞凌荣获20
白皮书下载｜英飞凌最新版SiC可靠性白皮书解读
SiC MOSFET凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。 问题包括但不限于： 栅氧缺陷多，早期失效风险高 长期工作中的阈值电压漂移问题（BTI/GSI） 宇宙射线引发单粒子烧毁 短路/雪崩耐受弱 体二极管存在双极退化 为此，英飞凌重磅发布全新升级版Si
插画揭秘｜英飞凌PSOC™ Edge这颗“种子”如何长出AI的枝干
大家好，我是英飞凌PSOC™ Edge**—— 一颗不甘平凡的芯片种子。在科技的土壤里，我的使命，是打破智能设备的性能瓶颈，让智慧，生长在每一个角落。** 我天生自带 “硬实力 + 软实力”双重超能力： 从消费电子到智能家居，从工业控制到万物互联，我就是连接世界的智能桥梁，让智能真正无处不在。 我可以做你的随身智能秘书：**在智能眼镜里实时导航、翻译、提醒；在智能手表中监测健康、分析运动；超低
氢能HVAC：宽禁带半导体赋能下的能源新范式
在全球碳中和目标与能源转型的大背景下，建筑与工业领域的能源自主化已成为重要发展趋势。其中，供暖、通风与空调（HVAC）系统作为“能耗大户”，其能源供给方式的变革尤为关键。用氢能驱动冷暖自由——这不仅是技术的进化，更是一场能源逻辑重构。 The Business Research Company报告显示：HVAC市场规模已从2024年的15.8亿美元跃升至2025年的19.1亿美元，预计到2030年
科技赋能生态 守护太湖共生｜英飞凌 “听见・共生” 鸟类声纹监测项目在无锡启动
近日，英飞凌在无锡正式启动 “听见・共生”—— 大溪港湿地鸟类声纹监测与生态科普项目，活动将生态公益与员工健康深度融合，彰显了英飞凌 “科技赋能自然、人文温暖生态” 的可持续发展理念，为本地生物多样性保护与企业社会责任实践树立新标杆。 无锡太湖大溪港湿地公园是东亚 - 澳大利西亚候鸟迁飞路线上的重要驿站，截止2025年已记录鸟类232种，其中国家一级保护动物7种、国家二级保护动物35种。然而，这些
集成式电子保险丝：为何是AI时代PSU的必然选择
数据中心正迈入一个由空前功率密度定义的新时代。AI负载的爆发式增长正推动供电架构从传统12 V全面向48/54 V演进，机架级功率由此跃升至数千瓦级别。这一变革对保护方案提出了全新要求：不仅需要更快速、更智能，更需具备与生俱来的可扩展性和可预测性。 传统保护方案（如机械保险丝、分立式MOSFET控制器）受限于其诞生时代的技术水平，存在响应延迟、系统复杂、热特性不可预测等问题，已无法适配现代AI服务
【限量席位 · 倒计时】IPAC碳化硅零碳应用技术大会，三重惊喜好礼现场发送！
IPAC 2026双技术峰会报名持续火爆！ 为感谢每一位支持者的信任，我们在5月22日IPAC碳化硅零碳应用技术大会现场准备了三重惊喜好礼！ IPAC碳化硅零碳应用技术大会 📅 时间：2026年5月22日 📍 地点：深圳 第一重好礼 全新升级SiC可靠性白皮书（纸质完整版） 英飞凌最新发布全新升级版 SiC 可靠性白皮书，系统性梳理 SiC MOSFET 可靠性的核心要点和应对之策。内容全面解析
面向AI芯片的VPD技术是什么？
本文将介绍供电体系的垂直供电（Vertical Power Delivery，VPD）现状和发展趋势。 AI芯片供电为何面临瓶颈 随着AI处理器功耗迈入千瓦级别，供电体系正在从传统的平面供电向垂直供电（Vertical Power Delivery，VPD）演进。VPD并非简单的电源小型化，而是一场系统级供电架构的重构。 AI处理器的算力扩展带来了更高的功耗。当核心电压维持在0.6V至0.8V左右