GaN氮化镓器件与SiC碳化硅器件在800V高压电驱逆变器中的选型对比与栅极驱动保护

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ankee 2026-10-23 21:57
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汽车800V高压平台下，主驱逆变器究竟是上1200V SiC MOSFET，还是等待高耐压GaN成熟？我们在双脉冲测试（Double Pulse Test）台上对比了Wolfspeed的C3M系列SiC和Navitas的GaN。
SiC的短路耐受时间（SCWT）有2~3us，而GaN一旦直通几乎在几十纳秒内炸管。大家在设计去饱和保护（Desat）时是怎么应对极高di/dt的？
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shunxuyuan2026 2026-10-24 00:57
#2
800V主驱大功率（100kW+）目前绝对还是SiC的天下。GaN主要优势在MHz级超高频和小功率密度（如车载OBC和DC-DC）。
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sun 2026-10-24 03:57
#3
驱动SiC必须用米勒钳位（Active Miller Clamp）驱动芯片，负压关断（-4V左右）是刚需，否则极高的dv/dt会通过Cgd反充栅极引起误导通直通炸桥。
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Larryhok 2026-10-24 07:57
#4
推荐看下安森美和英飞凌的隔离驱动方案，内部集成了快速软关断（Soft Turn-Off），检测到过流时平缓泄放栅极电荷，避免关断过快引起的巨大电压尖峰击穿MOS。
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板块 芯片讨论
发帖时间2026-10-23
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