跟随安森美CEO逛北京车展，看见中国创新的“全球引力”
在2026年北京车展上，超高压架构、舱驾融合及车载 AI Agent的技术浪潮正在重塑行业边界。 安森美 (onsemi) 总裁兼首席执行官 Hassane El-Khoury亲临现场，在密集的行程中捕捉中国汽车创新最真实的脉动。从一个个展台的交流中，他看到的不仅是琳琅满目的新车，更是中国汽车产业从“追随者”向“定义者”的华丽转身。 与安森美CEO同行，逛车展👇 中国创新速度领跑全球 凭借惊人的中
标签专题 · 共 14 篇文章
# 氮化镓
关于「氮化镓」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
14
篇文章
43
人关注
697
次浏览
CLLLC vs DAB：电动车车载充电器方案该如何取舍？
引言 为了优化电动汽车 (EV) 的电源，车载充电器 (OBC) 必须高效、轻便、小巧。电动汽车重量减轻后，也需要更低的功率来驱动，从而提高整体效率。 OBC 需要支持适当的电网到车辆 (G2V) 电压和当前的电池充电算法；因此，它可以作为电网和电动汽车之间的功率调节接口（图 1）。此外，它必须能够通过车辆到电网 (V2G) 供电，为电动汽车补充峰值容量可能波动的可再生能源。 图 1 OBC 需
人形机器人迎来实战落地，ST如何破解攻坚灵巧手与关节核心瓶颈
2026年，人形机器人产业正站在从“炫技”走向“实战”的关键路口。意法半导体（ST）敏锐地捕捉到了这一结构性变革，预测2026年将成为机器人市场区域差异与技术融合的分水岭——中国聚焦服务与工厂试点，欧美日深耕高附加值工业与医疗场景。 然而，从原型机到产业化落地，人形机器人仍面临着成本高昂、可靠性不足等严峻挑战，ST指出三大点：一是整体拥有成本（硬件、软件、运维支持）居高不下；二是
横向扩散金属氧化物半导体：射频功率的架构
在这个万物互联的时代，你的手机信号能够稳定覆盖数公里，背后的功臣是一个你可能从未听过的核心器件——横向扩散金属氧化物半导体，简称LDMOS。 一、横向的秘密：LDMOS的工作原理 要理解LDMOS，不妨先回忆一下普通MOSFET的结构。在普通MOSFET中，电流从源极流向漏极的方向与硅片表面平行，但控制电流的沟道长度受限于光刻精度。而LDMOS的创新在于“横向扩散”四个字。 想象一下，你需要在一
可靠才是硬道理：英飞凌CoolGaN™质量保障体系揭秘
氮化镓（GaN）性能优异，但客户最常问的是：它能像硅器件一样稳定工作十年以上吗？ 作为全球功率半导体领导者，英飞凌的回答不仅是数据，更是一套贯穿设计、制造、认证与应用的全生命周期质量体系。在近日专题研讨中，英飞凌专家首次系统披露了CoolGaN™背后的可靠性工程。 质量之道：言出必行，零缺陷 英飞凌的质量理念是“言出必行”，承诺零缺陷。这背后是三大支柱： 设计可靠性：基于对氮化镓物理特性的深刻
技术干货丨借助GaN双向开关革新电源设计
随着全球电源需求正出现前所未有的激增，设计人员不断面临挑战，需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸，并以更高的效率提供更高的功率水平。 氮化镓（GaN）以其优越的半导体特性，正在推动一场变革，引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。 高电压GaN双向开关（BDS）通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断，从而助
功率升级，尺寸瘦身：英飞凌CoolGaN™ 低压氮化镓晶体管与PSOC™ Control C3微控制器重塑低压电机控制
在电机控制设计中，工程师们始终面临一个经典难题：如何在有限的空间内，实现更高的效率、更低的温升和更优的动态响应？ 传统硅基MOSFET方案受限于开关速度与损耗，往往不得不在性能与体积之间妥协。如今，英飞凌CoolGaN™低压氮化镓晶体管与全新PSOC™ Control C3微控制器的组合，为低压电机控制带来了系统级的突破——更小、更冷、更静、更快。 从器件到系统：CoolGaN™的价值飞轮 与硅基
ST新MasterGaN功率芯片整合设计灵活性和先进GaN技术
面向消费电子充电器和电源适配器、工业照明电源、太阳能微逆变器 意法半导体推出了MasterGaN系列氮化镓功率开关管半桥的第二代产品MasterGaN6，该功率系统级封装（SiP）在一个封装内集成新的BCD栅极驱动器和导通电阻（RDS(on)）仅140mΩ的高性能GaN功率晶体管。 依托意法半导体MasterGaN系列业已建立的高集成度优势，MasterGaN6进一步扩大了产品功能，新增故障指示
新品｜华润微电子推出低压双向E-mode GaN产品，赋能消费类电子终端产品快充保护
氮化镓（GaN）功率器件具有更低的导通电阻与更快的开关速度，可显著降低开关损耗，从而提升系统效率、缩小磁性元件体积，并增强系统可靠性，因此在市场上日益受欢迎。氮化镓器件率先在消费电子快充领域实现规模化应用，随后逐步向高功率密度场景渗透，涵盖数据中心电源、光伏逆变器、新能源汽车OBC（车载充电机）、智能感知、AC-DC及DC-DC转换器等领域，在各应用场景中均展现出显著的系统级性能优势。 随着规模化
润新微电子氮化镓业务全面提速：技术迭代与市场突破双轮驱动
近日，华润微电子功率集成事业群旗下润新微电子（大连）有限公司（以下简称“润新微电子”）重磅推出第四代D-mode GaN系列新品。该产品可广泛应用于AI服务器电源、车载充电机（OBC）、激光雷达、人形机器人关节驱动、高端快充等高增长领域，为中高电压、大电流、高频高效以及对空间和重量敏感的应用场景，提供更高效、更紧凑的能源解决方案。 市场风口已至：氮化镓进入高价值场景渗透期 氮化镓功率器件凭借高效率
英飞凌一站式充电器解决方案，赋能高密度快充设计
随着智能手机、笔记本电脑等移动设备功能日益强大，电池容量持续提升，用户对充电器的要求也愈加严苛：更高功率、更小体积、更低成本、更强兼容性，已成为市场不可逆的四大趋势。USB-C 接口的普及，更推动充电器从“专用”走向“通用”，一个充电器，即可为手机、笔记本、甚至工业设备供电，真正实现“一充多用”。 在这一背景下，如何设计出既能满足高效率、高密度要求，又能控制成本、加速上市的充电解决方案，成为系统架
大咖谈技术丨为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点
在数据中心设计的新纪元，人工智能（AI）正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式，以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CPU工作负载进行优化，而现代AI数据中心则以加速器密集型系统为核心，其运行特性截然不同。这些需求正促使业界对数据中心电源架构进行根本性重构，进而加速氮化镓（GaN）半导体的普及应用。 剖析AI数据中心的电力挑战 相较于早期的云基础设施，AI数据中心呈现出两大显
TI 2026 电源研讨会，赋能下一代电源设计！
2026 德州仪器 (TI) 电源设计研讨会已于日前在深圳、北京、西安、上海、杭州五城巡回举办，顺利落幕。 本次研讨会围绕高效、高功率密度及智能控制的核心行业趋势，通过八大深度技术议题系统性地输出了涵盖基础拓扑、先进材料 (GaN)、创新结构（平面变压器）、数字控制及精密检测等在内的核心技术知识，为电源工程师提供了一场从基础理论到前沿实战的全方位知识赋能。 硬核知识，技术干货大放送 从搞定 PCB
低压GaN转换器栅极驱动和测量
氮化镓场效应晶体管(GaN FET)相较于硅FET，开关速度更快，封装更小，功率损耗更低。这些特性使得电源转换器能够在更高频率下运行，从而既能减小整体解决方案尺寸，又能保持高效率。虽然DC/DC转换器的基本设计保持不变，但GaN带来了额外的设计和测试挑战。其中一个较为关键的挑战是对栅极电压和时序进行精准控制。这种控制可能很有难度，原因在于开关时间可能超过了传统控制器和测试设备的处理能力。幸运的是，