已解决 高压隔离数字隔离器（纳芯微NSi82xx / ADI ADuM）初次级耐压与浪涌抑制实测
各位工程师同行好！在最近的项目调试与电路打样中，遇到了关于【高压隔离数字隔离器（纳芯微NSi82xx / ADI ADuM）初次级耐压与浪涌抑制实测】的实际难题。
目前电路在实验室常温测试阶段基本可用，但在高低温老化以及复杂工业现场电磁干扰（EMC）环境下，出现了偶发性异常。
希望有处理过类似工况的老师傅能够分享一下具体的参数计算方法、保护拓扑或PCB布线避坑经验，非常感谢！
目前电路在实验室常温测试阶段基本可用，但在高低温老化以及复杂工业现场电磁干扰（EMC）环境下，出现了偶发性异常。
希望有处理过类似工况的老师傅能够分享一下具体的参数计算方法、保护拓扑或PCB布线避坑经验，非常感谢！
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完全赞同楼上的分析。补充一点实际经验：注意器件在全温区工作下的参数漂移，尤其是高温85℃时漏电流会呈指数级上升，软件上一定要加入容错超时的安全保护机制。
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我们在实际测试中发现，选用高精度的低温漂电阻（0.1%精度，25ppm）是解决该精度问题的最有效手段。虽然单颗贵两分钱，但避免了产线逐块手工标定的巨大工时成本。
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