微电子所在面向视觉AI芯片的单片三维异质集成技术领域取得进展
后摩尔时代，传统晶体管“几何微缩”进程持续趋缓，已成为制约高性能AI芯片实现经济性与规模化发展的核心瓶颈。以“韬（τ）定律”为代表的集成电路发展新范式应运而生，其通过3D堆叠多功能芯片，实现系统级延迟降低与等效集成密度的大幅提升。在边缘端，信息处理同样面临时延
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中国科学院微电子研究所是一所学科布局齐全、研究领域广泛的国立研究机构，是我国微电子技术和集成电路产业领域的创新研发核心机构之一。本平台旨在分享科研进展，传播科学知识，服务社会大众。
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微电子所在IGZO 2T0C 3D DRAM领域取得进展
人工智能与高性能计算应用的快速发展，对高容量、高带宽存储的需求急剧增长。高速SRAM受其6T结构限制，难以实现高容量；片外DRAM因访问延迟较高，无法充分满足高带宽需求。在此背景下，基于IGZO的2T0C架构可后道集成于逻辑芯片之上，被视为兼顾高容量与高带宽的
微电子所在器件智能紧凑建模研究方面取得重要进展
面向后摩尔时代新型半导体器件与先进集成技术的发展需求，设计工艺协同优化（DTCO）正推动着材料、器件、工艺与电路系统的协同设计。作为连接器件物理与电路设计的关键桥梁，紧凑模型直接关系到新型器件进入电路设计流程、支撑系统优化与应用探索的效率。随着新材料、新结构器
微电子研究所2026年公众科学日圆满举行
5月16日，微电子所“赴科学之约，赋未来之翼”公众科学日活动在庄严的升国旗仪式中开启全天日程。开幕式在研究所八层多功能厅举行，来自南开大学、中关村中学、民族小学等大中小学、科技爱好者及市民朋友等千余人走进集成电路科研殿堂，近距离感受芯片科技独特魅力。 “揭秘芯
微电子所在硬件安全芯片领域取得重要进展
随着物联网设备的快速普及与海量部署，其数量呈现爆发式增长。但这些设备往往部署在物理不可控的环境中，极易遭受各种硬件级攻击，如电源噪声注入、电磁干扰、激光fault注入等，传统的软件安全机制难以有效抵御。硬件安全芯片，尤其是作为密码系统“熵源”核心的真随机数发生
微电子所在DRAM刻蚀工艺三维仿真方向取得重要进展
随着DRAM制程不断微缩，有源区鳍形结构的刻蚀形貌控制成为提升良率的关键瓶颈。产业界普遍观察到wiggling AA效应，即鳍状结构出现非均匀侧壁与弯曲畸变，严重降低电容效率与器件可靠性。然而，其物理根源长期不明，缺乏系统的表征与机理模型，导致刻蚀工艺难以精准
吴德馨院士遗体告别仪式在京举行
中国共产党的优秀党员，我国杰出的微电子科学家，中国科学院院士，中国科学院微电子研究所研究员、原中国科学院微电子中心主任，第九届、第十届全国人民代表大会常务委员会委员，中国科学院技术科学部第八届常务委员会委员、第九届常务委员会副主任，中国科学院信息技术科学部第十
中国科学院微电子研究所海外优秀青年人才招聘启事
中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）成立于1958年，是我国微电子科学技术与集成电路领域的重要研发机构，是集成电路制造技术全国重点实验室的依托单位。在半导体器件与集成电路制造、集成电路设计与应用、集成电路装备等领域展开科研工作，设有集成电路先导工艺研
中国科学院副秘书长王华调研微电子所
4月10日上午，中国科学院副秘书长，上海分院分党组书记、院长王华到中国科学院微电子研究所调研指导工作，微电子所所长、党委书记戴博伟，副所长曹立强、李泠陪同调研。 王华实地考察了集成电路先导工艺线、先进封装工艺线，参观了创新成果展，详细了解了微电子所在集成电路关