一颗 MCU 同时搞定 Vienna PFC 与多电机控制，8kW 系统方案实测来了
面向热泵、HVAC、储能与 数据中心 EC 风机的数字 Vienna PFC + 多电机控制系统方案 近年来，热泵、大功率 HVAC、储能系统以及数据中心 EC 风机(Electronically Commutated, 电子换向风机)等应用快速增长，对电源质
英飞凌工业半导体 订阅号
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专栏文章列表（27）
用于固态变压器 (SST) 的 EasyPACK™ 模块介绍
本视频聚焦固态变压器（SST）应用，介绍英飞凌搭载CoolSiC™ MOSFET的EasyPACK™功率模块的解决方案。SST正在重塑高压输电与AI数据中心供电架构，设备需在快速、持续的动态负载下稳定运行并满足15–20年寿命。基于.XT扩散焊技术，EasyP
氮化镓之撸起袖子驱动GaN
上篇文章（参考阅读：氮化镓增强型GaN晶体管结构简介）已经就GIT电流型和SG电压型氮化镓晶体管的内部构造和工作原理进行了介绍，在此基础上，本篇将继续介绍其对应驱动电路的设计。 GIT电流型 GaN 晶体管的驱动电路 GIT型和SG型两种增强型的GaN器件的栅
AI数据中心为何转向800V HVDC？解析数据中心电源架构与SiC/GaN技术趋势
随着数据中心AI负载所需功率的快速增加，服务器的供电架构也随之发展。当前每个机架包含供电单元PSU、备用电源BBU及AI负载等，单相PSU的功率也逐步从3.3kW提升至12kW。然而当机架功率水平超过250kW时，供电电源正转向采用专用机架(即sidecar)
氮化镓增强型GaN晶体管结构简介
氮化镓晶体管内部构造简介 GaN 氮化镓晶体管（HEMT）的基本结构如下图1所示，以 GaN/AlGaN 异质结为主体，在AlGaN/ GaN的异质结界面处，由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应，形成了一层高电子浓度的导电通道——二维电子气（2DEG）
使用新一代H7系列IGBT单管设计高效新能源系统
Infineon TRENCHSTOP™ IGBT7 单管产品目前已形成完善的产品矩阵，涵盖650V、750V、1200V三种主流电压等级。基于不同应用场景的需求，产品系列分为T7、S7、H7三大系列，封装形式包含DTO在内共计6种，全系列累计推出56款产品
深入解读SiC MOSFET栅极开关不稳定性(GSI)
在关于碳化硅（SiC）MOSFET 的栅极不稳定性的研究中，除了上期介绍的的 DC BTI，还有一种碳化硅专属的退化机制—— 栅极开关不稳定性（GSI），它在高频开关的实际应用中引发的参数漂移，远超传统 DC BTI 测试的结果，成为影响 SiC 器件长期稳定
极速陷阱：你的测试仪器“看”到真实的SiC了吗?
还记得电影《F1：狂飙飞车》中，那些让人肾上腺素飙升的镜头吗？男主桑尼驾驶着APX GP，在直道末端以超过300公里的时速呼啸而过。如果你用手机拍摄这一瞬间，得到的可能是一片模糊的光影——你只知道有辆车过去了，但完全看不清细节。但是如果用足够快的连拍速度和抓取
新品 | 用于中压驱动与电机控制的IGBT 7 EconoPACK™ 3模块
新品 用于中压驱动与电机控制的 IGBT 7 EconoPACK™ 3模块 EconoPACK™ 3 1700V TRENCHSTOP™ IGBT7模块为中压驱动与电机控制提供业界领先的性能。该模块采用发射极控制EC7二极管，集成整流器与NTC温度传感器，并
全面解析SiC MOSFET雪崩耐量
在新能源、工控、储能等高压大功率场景中，沟槽栅 SiC MOSFET凭借优异的开关性能被广泛应用。但在电机驱动、电源转换等感性负载场景中，MOSFET关断时因电流突变会在漏源极间产生高压尖峰。若无钳位电路吸收能量，器件可能进入雪崩击穿状态，轻则参数劣化，重则
英飞凌深度解析：CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式
在碳化硅SiC MOSFET快速普及的今天，短路稳定性一直是行业关注与争议的焦点。很多工程师误以为：SiC MOSFET 天生扛不住短路，是硬缺陷。事实真的如此吗？ 英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原 CoolSiC™ MOSFET 短路特性的真相
新品 | 适用于通用驱动器的、搭载 EasyPIM™ 2B的 EVAL-FP50R12W2T7 评估板
EVAL-FP50R12W2T7M5 评估板搭载 EasyPIM™ 2B，适用于采用 TRENCHSTOP™ IGBT7 的通用驱动器。此评估板有助于通过双脉冲测试和系统测试来研究模块的特性。除了通用驱动器控制外，该评估板还提供高压采样、相电流采样、温度采样
【限量席位 · 倒计时】IPAC碳化硅零碳应用技术大会，三重惊喜好礼现场发送！
IPAC 2026双技术峰会报名持续火爆！ 为感谢每一位支持者的信任，我们在5月22日IPAC碳化硅零碳应用技术大会现场准备了三重惊喜好礼！ IPAC碳化硅零碳应用技术大会 📅 时间：2026年5月22日 📍 地点：深圳 第一重好礼 全新升级SiC可靠性白皮书
英飞凌携手思格新能源，碳化硅器件助力户用光储
近日，英飞凌科技与思格新能源（上海）股份有限公司正式宣布深化合作，双方将基于英飞凌最新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，共同为思格新能源户用光伏储能逆变器解决方案提供核心性能支撑，以技术创新驱动户用光储领域能效升级。 在全
深度解析：为何 SiC MOSFET 必须构建专属可靠性验证方法？
在电力电子领域，SiC MOSFET 正凭借高频、高效、高温的显著优势在新能源汽车、光伏储能、工业电源等核心场景加速渗透。SiC MOSFET能复用硅基器件(如垂直型MOSFET或IGBT)的许多基本的器件设计概念，另外用于验证Si MOSFET/IGBT长期
新品 | 栅极驱动器搭配1200 V碳化硅SiC功率开关的半桥配置评估板
新品 栅极驱动器搭配1200 V碳化硅SiC 功率开关的半桥配置评估板 英飞凌EVAL-1ED3321MC12N-SIC评估板是模块化评估平台的一部分，可简化EiceDRIVER™ 1ED3321MC12N栅极驱动器与功率开关在半桥配置下的测试验证。该评估板
英飞凌最新版SiC可靠性白皮书解读（含白皮书下载）
SiC MOSFET 凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC 功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。 问题包括但不限于： 栅氧缺陷密度高 长期工作中的阈值电压漂移问题（
新品 | 1200V 62mm IGBT 7半桥模块产品线扩充
1200V 62mm IGBT 7半桥模块 英飞凌推出1200V 62mm半桥模块产品扩充，额定电流涵盖450A到800A，采用预涂导热界面材料和共发射极配置。 产品描述： ■FF800R12KE7P ■ FF800R12KE7P_E ■ FF600R12K
英飞凌 Easy C 系列：.XT 扩散焊 + CoolSiC™ MOSFET G2，重塑大功率充电与储能方案
随着电动汽车与储能产业高速增长，行业对高寿命、高效率、高功率密度的功率器件需求愈发迫切。英飞凌全新推出采用.XT 扩散焊技术与1200V CoolSiC™ MOSFET G2 的 Easy C 系列功率模块，精准攻克充电与储能系统功率循环、宽温运行、热管理等核
IPAC 2026双技术峰会报名火热，重磅嘉宾邀你共赴技术盛宴
IPAC 双技术峰会特别邀请到英飞凌与业内权威技术专家，他们将凭借深厚的专业知识和丰富的实践经验，为你深入剖析碳化硅（SiC）技术的未来发展方向与详细规划，同时全面解读 SiC 在热门应用领域的行业动态与技术前沿趋势。 英飞凌碳化硅零碳应用技术大会 📅 时间：