SiC MOSFET 凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC 功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。
问题包括但不限于：
栅氧缺陷密度高
长期工作中的阈值电压漂移问题（BTI/GSI）
宇宙射线引发单粒子烧毁
短路 / 雪崩耐受弱
体二极管存在双极退化
为此，英飞凌重磅发布全新升级版 SiC 可靠性白皮书，全文近 4 万字，系统性梳理 SiC MOSFET 可靠性的核心要点和应对之策。内容全面解析 SiC 器件独有失效机制，详解标准化测试验证流程，从技术层面筑牢产品长期运行稳定性。
同时，白皮书深度剖析多项核心技术难题，涵盖各种工况下栅极氧化层可靠性、动态负荷应力影响、抗辐射性能、湿度诱发失效机理等关键议题，为器件选型、产品设计与工况应用提供权威技术参考。
4月2日，华大半导体旗下上海积塔半导体有限公司成功举办“共创价值、协同增长”2026半导体技术创新研讨会。华大半导体党委书记、董事长孙劼出席会议并讲话，副总经理、积塔半导体总经理杨琨等参加会议。来自汽车电子、具身智能、芯片设计等领域的260余名产业链伙伴齐聚一堂，共探技术前沿，共谋生态协同。 深耕特色工艺 铸就车规标杆 作为华大半导体在特色工艺制造领域的战略支点，积塔半导体始终秉持“积沙成塔
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景，往往需要千安级的电流输出，单管无法满足。因此，SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。 不管是SiC MOSFET还是IGBT，并联的目标都是实现电流的均匀分布，且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标，我们需要做到三点： 1.并联芯片参
氮化镓（GaN）性能优异，但客户最常问的是：它能像硅器件一样稳定工作十年以上吗？ 作为全球功率半导体领导者，英飞凌的回答不仅是数据，更是一套贯穿设计、制造、认证与应用的全生命周期质量体系。在近日专题研讨中，英飞凌专家首次系统披露了CoolGaN™背后的可靠性工程。 质量之道：言出必行，零缺陷 英飞凌的质量理念是“言出必行”，承诺零缺陷。这背后是三大支柱： 设计可靠性：基于对氮化镓物理特性的深刻
01 SiC MOSFET的体二极管及其关键特性 无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示： 图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET 图2. 平面栅型MOSFET N+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。 N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。 P-bod
还在为器件选型、模块自研、研发周期短等问题而头疼？ 东芝半导体线上研讨会重磅来袭，直击服务器电源设计核心痛点，解锁参考设计应用全流程，帮您轻松搞定设计难题。 本次研讨会聚焦工程师高频设计困扰，从电路设计、技术特点、使用方法到应用领域全面解析，同时为您介绍东芝参考设计库，并带来服务器3kW电源参考设计分享，结合SiC MOSFET技术亮点，助力提升电源功率密度。 研讨会主题 东芝3kW服务器电源的参
在人形机器人、四足机器狗加速商业化的今天，关节电机的精准控制直接决定整机运动性能与可靠性。作为全球半导体领域的领导者，英飞凌凭借深耕多年的磁传感技术，推出两款明星产品——TLx5012B系列与TLI49012，前者以成熟量产验证实力，后者以高性价比拓宽应用边界，为机器人产业提供全方位传感解决方案。 TLx5012B系列作为英飞凌磁传感器的标杆产品，已在国内人形机器人、机器狗的关节电机上实现大批量
在电机控制设计中，工程师们始终面临一个经典难题：如何在有限的空间内，实现更高的效率、更低的温升和更优的动态响应？ 传统硅基MOSFET方案受限于开关速度与损耗，往往不得不在性能与体积之间妥协。如今，英飞凌CoolGaN™低压氮化镓晶体管与全新PSOC™ Control C3微控制器的组合，为低压电机控制带来了系统级的突破——更小、更冷、更静、更快。 从器件到系统：CoolGaN™的价值飞轮 与硅基
活动名称：2026英飞凌全栈汽车车灯方案展 活动主题： 驱动光影未来，共话智能车灯“芯”生态 活动时间及地点： 2026年5月18日（星期一） | 江苏·常州 主办方： 英飞凌科技 大联大诠鼎集团旗下品佳公司 活动简介 在汽车智能化、个性化浪潮中，车灯已从基础照明演变为集安全、交互、美学于一体的关键部件。英飞凌联手合作伙伴大联大诠鼎集团旗下品佳公司诚邀各位汽车行业同仁，莅临我
随着全球电动汽车市场对充电效率与架构灵活性的要求不断提升，OBC技术正迎来从繁至简的变革。为了深度拆解这一前沿趋势，我们将通过两篇系列文章介绍11 kW矩阵式OBC创新方案。第一篇讲解了👉系统级架构创新的趋势。本文将聚焦安森美（onsemi）11kW 矩阵式 OBC 核心技术详解与器件应用解析。 11kW矩阵式车载充电机－硬件设计师访谈 Daniel Goldmann 安森美电源解决方案事业部首席
SEMICON China 2026开幕仪式 3月25日，SEMICON China 2026国际半导体展在上海盛大启幕，展览面积逾10万平米，吸引1500家全球展商参与，预计逾18万人次专业观众共襄盛举。 本届展会聚焦三大产业趋势：AI算力持续爆发，2026年全球AI基础设施支出将达4500亿美元；作为AI基础设施核心资源，全球存储产值成为半导体第一增长极；技术驱动产业升级，先进封装战略地位凸显
新品 CoolMOS™ CFD7 SJ 高压超结 MOSFET 650V系列 650V CoolMOS™ CFD7是英飞凌最新高压超结MOSFET技术，集成快速体二极管，完善了CoolMOS™ 7系列产品，CoolMOS™ CFD7具备更低的栅极电荷(QG)、优化的关断特性，其反向恢复电荷(QRR)较竞品最多可降低69%，并拥有业界最低的反向恢复时间(trr)，底部散热封装最大程度降低导通损耗，
1200V 62mm IGBT 7半桥模块 英飞凌推出1200V 62mm半桥模块产品扩充，额定电流涵盖450A到800A，采用预涂导热界面材料和共发射极配置。 产品描述： ■FF800R12KE7P ■ FF800R12KE7P_E ■ FF600R12KE7P ■ FF600R12KE7P_E ■ FF450R12KE7P ■ FF450R12KE7P_E 产品特性 最高功率密度 业界领先的
英飞凌针对800 VDC架构AI数据中心推出基于CoolGaN™的高压IBC参考设计 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出两款全新高压中间总线转换器（HV IBC）参考设计，帮助客户加速向±400 V和800 V直流（VDC）供电的AI服务器电源架构转型。这些参考设计采用英飞凌的650 V CoolGaN™开关，专为追求更高机架功率、更低配电损耗、更优散热性能的超大规模云服
近日，英飞凌科技（以下简称“英飞凌”）与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器（SST）产品，大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计划携手将英飞凌全新碳化硅模块
美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌300mm GaN技术 Johannes Schoiswohl 英飞凌科技高级副总裁、 氮化镓系统业务线负责人
近日，2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼举行，闻泰科技凭借研发创新实力斩获“年度车规芯片技术突破奖”，旗下1200V车规级碳化硅（SiC）MOSFET产品的核心竞争力获行业权威认可。 “年度车规芯片技术突破奖”旨在表彰在前沿领域实现重大原始创新、技术达国际先进水平，且对车规芯片产业链自主安全可控发展具有重要推动作用的企业，凸显行业对技术创新与产业价值的认可。 车规优势显著 坚定研发驱动
英飞凌新推出一款12位数字电流监测IC XDM700-1，提供高精度传感与报告功能 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司进一步扩展其XDP™保护与监测产品组合，推出新产品XDM700-1。XDM700-1是一款适用于高/低侧电流及电压传感的系统监测与报告集成电路（IC），输入电压最高达80 V。该产品基于XDP7xx保护技术平台打造，提供精准的实时测量、监测、报告功能，是AI服
把握未来技术脉搏，从这里开始 嵌入式系统正在驱动新一轮技术创新浪潮——从智能工厂、自动驾驶汽车，到智慧家居、机器人与边缘AI，无处不在的嵌入式技术正在重塑我们的世界。 英飞凌科技倾力打造了嵌入式系统系列研讨会。精彩内容现已上线，随时随地，按需观看！ 五大专题方向，覆盖前沿技术全景 未来边缘AI AI不再只属于云端，它正在走向每一个终端设备。 PSOC™ Edge MCU加速产品智能化 从云
在英飞凌，员工是我们的核心。作为全球半导体领域的领导者，我们汇聚来自世界各地的人才，推动创新、可持续发展与数字化转型。在这里，我们重视学习与成长，提供清晰的职业发展路径、领域广泛的培训，以及跨地区协作的机会，全方位帮助你扩展技能。 我们的故事 我们投身其中，推动低碳化与数字化转型。携手同行，我们每天都在打造微小芯片，成就美好生活，开发造福人们日常生活的技术。我们的半导体解决方案在数百万的产品中，推
还在为器件选型、模块自研、研发周期短等问题而头疼？ 东芝半导体线上研讨会重磅来袭，直击服务器电源设计核心痛点，解锁参考设计应用全流程，帮您轻松搞定设计难题。 东芝3kW服务器电源的参考设计介绍 本次研讨会聚焦工程师高频设计困扰，从电路设计、技术特点、使用方法到应用领域全面解析，全面为您介绍东芝参考设计库，并带来服务器3kW电源参考设计分享，结合SiC MOSFET技术亮点，助力提升电源功率密度。
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