【限量席位 · 倒计时】IPAC碳化硅零碳应用技术大会,三重惊喜好礼现场发送!

来源:英飞凌工业半导体 研讨会 19 次阅读
摘要:IPAC 2026双技术峰会报名持续火爆! 为感谢每一位支持者的信任,我们在5月22日IPAC碳化硅零碳应用技术大会现场准备了三重惊喜好礼! IPAC碳化硅零碳应用技术大会 📅 时间:2026年5月22日 📍 地点:深圳 第一重好礼 全新升级SiC可靠性白皮书(纸质完整版) 英飞凌最新发布全新升级版 SiC 可靠性白皮书,系统性梳理 SiC MOSFET 可靠性的核心要点和应对之策。内容全面解析

IPAC 2026双技术峰会报名持续火爆!

为感谢每一位支持者的信任,我们在5月22日IPAC碳化硅零碳应用技术大会现场准备了三重惊喜好礼!

IPAC碳化硅零碳应用技术大会

📅 时间:2026年5月22日

📍 地点:深圳

第一重好礼

全新升级SiC可靠性白皮书(纸质完整版)

英飞凌最新发布全新升级版 SiC 可靠性白皮书,系统性梳理 SiC MOSFET 可靠性的核心要点和应对之策。内容全面解析 SiC 器件独有失效机制,详解标准化测试验证流程,从技术层面筑牢产品长期运行稳定性。同时,白皮书深度剖析多项核心技术难题,涵盖各种工况下栅极氧化层可靠性、动态负荷应力影响、抗辐射性能、湿度诱发失效机理等关键议题,为器件选型、产品设计与工况应用提供权威技术参考。参会即可获得最新版SiC可靠性白皮书(纸质完整版)。

第二重好礼

CoolSiC™ MOSFET 1200V免费样品

英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200V G2系列产品采用先进的Q-DPAK顶部冷却封装,针对高功率密度与高温运行场景优化设计,适用于电动汽车充电、光伏、UPS、固态断路器、工业驱动及AI等领域。现推出IMCQ120R017M2HIMCQ120R034M2H两款器件免费样品试用活动,现场提交申请,即有机会获得免费样品!

第三重好礼

CoolSiC™ JFET最新评估板

英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性,使其成为先进固态保护与配电系统的理想之选。凭借强大的短路能力、线性模式下的热稳定性以及精确的过压控制,CoolSiC™ JFET可在各种工业和汽车应用中实现可靠且高效的系统性能,包括固态断路器(SSCB)、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等。最新CoolSiC™ JFET evaluation board (EVAL-IJCQ120RM23C1)正式推出, 参会现场提交申请,即有机会获得免费评估板。

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