英飞凌 Easy C 系列:.XT 扩散焊 + CoolSiC™ MOSFET G2,重塑大功率充电与储能方案
2026-05-07 00:08
来源:英飞凌工业半导体
核心导读
随着电动汽车与储能产业高速增长,行业对高寿命、高效率、高功率密度的功率器件需求愈发迫切。英飞凌全新推出采用.XT 扩散焊技术与1200V CoolSiC™ MOSFET G2 的 Easy C 系列功率模块,精准攻克充电与储能系统功率循环、宽温运行、热管理等核心挑战。 该模块功率循环能力较上一代提升 20 倍,系统效率最高提升 0.5%,工作温度可达 175℃,过载耐受 200℃。搭配大电流 Pr
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在这一趋势下,行业对系统效率、功率密度和成本控制提出了更高要求。英飞凌CoolGaN™氮化镓技术,凭借其卓越的器件特性,正在成为光伏与储能系统设计的关键赋能者。
为什么是CoolGaN™?
氮化镓作为宽禁带半导体
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1200V 62mm IGBT 7半桥模块
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产品描述:
■FF800R12KE7P
■ FF800R12KE7P_E
■ FF600R12KE7P
■ FF600R12KE7P_E
■ FF450R12KE7P
■ FF450R12KE7P_E
产品特性
最高功率密度
业界领先的
新品
用于中压驱动与电机控制的
IGBT 7 EconoPACK™ 3模块
EconoPACK™ 3 1700V TRENCHSTOP™ IGBT7模块为中压驱动与电机控制提供业界领先的性能。该模块采用发射极控制EC7二极管,集成整流器与NTC温度传感器,并配备绝缘基板,具备卓越的可靠性与稳定的供应保障。
产品型号:
■F4-75R17N3E7_B58
产品框图
产品特性
VCES\=1700
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工程名称:铁电U盘 · USB FRAM DISK
前言
据说,这个U盘能做到——永久**存储、无限擦写、零延迟写入、还抗辐射?**
这4个特点,代表了这个U盘能:
——“永远”不坏
——且每次打开,储存的资料都在
而且做一个这样的U盘只花10元?!
所以……它咋做到的?真能做到?
先瞅瞅它的电路设计和硬件参数!
*0***1
设计图
”
电路部分,作者只用了一颗主控+一颗FRAM。
原理图
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