英飞凌 Easy C 系列：.XT 扩散焊 + CoolSiC™ MOSFET G2，重塑大功率充电与储能方案

来源：英飞凌工业半导体 电源新能源 21 次阅读
摘要：随着电动汽车与储能产业高速增长，行业对高寿命、高效率、高功率密度的功率器件需求愈发迫切。英飞凌全新推出采用.XT 扩散焊技术与1200V CoolSiC™ MOSFET G2 的 Easy C 系列功率模块，精准攻克充电与储能系统功率循环、宽温运行、热管理等核心挑战。 该模块功率循环能力较上一代提升 20 倍，系统效率最高提升 0.5%，工作温度可达 175℃，过载耐受 200℃。搭配大电流 Pr

随着电动汽车与储能产业高速增长，行业对高寿命、高效率、高功率密度的功率器件需求愈发迫切。英飞凌全新推出采用.XT 扩散焊技术与1200V CoolSiC™ MOSFET G2 的 Easy C 系列功率模块，精准攻克充电与储能系统功率循环、宽温运行、热管理等核心挑战。

该模块功率循环能力较上一代提升 20 倍，系统效率最高提升 0.5%，工作温度可达 175℃，过载耐受 200℃。搭配大电流 PressFIT 引脚、TIM 2.0 热导膏与优化封装，大幅提升可靠性与安装便捷性。

产品覆盖电动汽车充电、储能、光伏逆变器等场景，助力客户简化设计、提升功率密度、降低系统成本，为大功率应用提供长效稳定的核心解决方案。

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