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CoolMOS™ CFD7 SJ 高压超结
MOSFET 650V系列
650V CoolMOS™ CFD7是英飞凌最新高压超结MOSFET技术，集成快速体二极管，完善了CoolMOS™ 7系
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近日，英飞凌科技(以下简称“英飞凌”)与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT -
自2014年首届举办以来，IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会已走过十二载征程。我们始终以“驱动工业低碳转型”为使命，深耕零碳技术领域，累计吸引上万名行业精英、专家学者及企业代表参与，成为业内最具影响力
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新品 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin 高爬电距离封装 英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET -
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景，往往需要千安级的电流输出，单管无法满足。因 -
光伏系统在降低碳排放、提升电网可再生能源占比方面发挥着重要作用。在组串式光伏逆变器应用中，功率密度与系统效率不断提高的需求，持续推动着功率半导体器件的进步，英飞凌全新EasyHD3系列产品正是为了实现