【技术干货】数据中心电源设计的发展与解决方案
简介 当前的数据中心电源解决方案的发展，正由AI算力的爆发式增长所驱动，AI模型训练与推理对算力的渴求，正将数据中心的电力消耗推向新高，海量且激增的电力需求，是变革的根本动力，其核心趋势是向更高压、更高效、更集约化的架构演进。本文将为您介绍数据中心电源解决方案的发展，以及由Littelfuse推出的相关解决方案。 经历深刻变革的数据中心供电架构 全球数据中心的电力需求正以惊人的增长速度，其中AI是
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隔离偏置电源如何从源头抑制共模 EMI？
引言 小型隔离式电源可在电动汽车牵引逆变器、工厂控制模块等各种应用中跨越隔离屏障提供电力。本《电源设计小贴士》将剖析不同的隔离式偏置电源拓扑及其电磁干扰 (EMI) 性能。如您所见，隔离式变压器两端的寄生电容是导致共模噪声传播的主要因素**。** 隔离栅极驱动为何需要偏置电源 在牵引逆变器中，栅极驱动器会驱动大功率开关（通常为绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 或碳化硅 (SiC) MOSFET），实
决策提速10倍！Elite Pairing Studio 解锁SiC MOSFET与驱动器的最佳匹配方案
安森美（onsemi）推出行业首款网页端工具，实现栅极驱动器和电源开关的智能配对。Elite Pairing Studio智能配对工具能够推荐我们的EliteSiC MOSFET和栅极驱动器的最佳匹配方案，在几秒钟内评估所有栅极驱动器，决策速度提升10倍，实现更高性能的电源设计。 Elite Pairing Studio智能配对工具，快速完成安森美SiC MOSFET和栅极驱动器多个组合的评估，
ST新GaN半导体器件提升能效，主打AI服务器、机器人等高需求应用
700V PowerGaN功率器件提升能效，缩减电源设计体积，适用于AI服务器、机器人、工业设备，以及家电等高端消费类产品 意法半导体新氮化镓（GaN）功率晶体管赋能高需求电气化应用提升能效和功率密度。新推出的700V PowerGaN氮化镓功率器件属于STPOWER产品组合，能够解决人工智能服务器耗电量不断攀升的能效难题，还可以克服市场需要更高的电源转换性能而传统硅基器件已经达到技术极限的行业挑
多年实测！电源PCB布局避坑经验拿好
在电源设计中，精心的布局和布线对于能否实现出色设计至关重要，要为尺寸、精度、效率留出足够空间，以避免在生产中出现问题。我们可以利用多年的测试经验，以及布局工程师具备的专业知识，最终完成电路板生产。 精心的设计的效率 设计从图纸上看起来可能毫无问题（也就是说，从原理图角度），甚至在模拟期间也没有任何问题，但真正的测试其实是在布局、PCB制造，以及通过载入电路实施原型制作应力测试之后。这部分使用真实的
覆盖 40-1200V！一文拆解安森美 GaNEXUS™的关键优势和应用
GaNEXUS™系列是安森美（onsemi）最新推出的氮化镓（GaN）功率产品组合，旨在为现代功率架构提供更高的效率、更高的功率密度以及高速开关性能。在GaNEXUS的应用领域中，氮化镓能够最大化地发挥系统级影响，从电源到负载，支持各类紧凑、高效的功率转换。 凭借久经考验的电源设计、卓越的品质以及全生命周期支持，GaNEXUS助力客户构建可靠且可扩展的解决方案，广泛应用于AI数据中心、机器人与自动
智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，纳芯微推出110V半桥驱动芯片NSD2123
随着AI算力需求爆发，GaN器件在AI数据中心电源的渗透率正加速提升，以突破功率密度瓶颈；与此同时，机器人关节驱动、光储、Class D音频等领域也对高效紧凑的电源方案提出需求，共同推动GaN技术从消费快充迈向泛工业市场。GaN器件凭借低损耗、高开关频率等优势，已成为新一代电源设计的核心选择，而其价值释放离不开专用驱动芯片的精准适配。 在此背景下，纳芯微全新推出110V半桥GaN驱动芯片NSD21
为什么少了这颗电容，系统就再也起不来了？
在MIMXRT1060EVK的电源设计中，有一小段并不起眼的电路，却藏着一个非常经典、也非常容易踩坑的设计点： WDOG_B为什么要串一个电容，而不能直接接复位芯片？ 很多工程师第一眼看到这个电路时，都会有这个疑问。但真正理解之后，你会发现这颗电容，实际上是在“拯救系统”。 这篇文章，我们就把这个问题彻底拆清楚。 1️⃣ 先看电路（简化版） 关键器件如下： U27：UM805RE（复位监控
碳化硅赋能浪潮教程：CJFET缓冲电路的设计逻辑
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文将介绍CJFET通常需要配置缓冲电路的原因。 什么是缓冲电路？ 缓冲电路可为采用安森美（onsemi） SiC cascode JFET（CJFET）的功率电路提供开关速度控制和振
报名开启｜英飞凌AI服务器电源优化线上研讨会：Si/GaN/SiC组合方案，解锁下一代数据中心能效新高度
AI算力爆发，数据中心机架功率持续攀升，高功率密度、高能效、高可靠性已成为AI服务器电源设计的核心挑战。如何通过先进半导体技术与拓扑方案，让电源系统适配下一代AI算力需求？ 英飞凌特邀行业专家，带来中文专场线上研讨会，聚焦AI服务器电源全链路技术，分享硅、氮化镓、碳化硅融合方案与实战参考设计，助力工程师优化电源架构、提升系统性能。 会议亮点抢先看 1. 直击AI服务器电源核心痛点 深度解析下一代A
新品发布 | 1颗顶9颗！MPS新品PMIC破解汽车SoC供电难题，ASIL-D功能安全+16A输出太能打！
随着智能汽车向域控化、中央计算架构演进，新一代智能座舱、自动驾驶SoC的性能边界被不断刷新。但性能飞跃的背后，是一道棘手的电源设计难题： 大电流需求激增、多路独立电源轨并行、上下电时序复杂、瞬态响应和纹波噪声要求严苛……再叠加汽车行业“性命攸关”的高等级功能安全要求，传统分立电源IC方案正面临着布板占空间、BOM成本高、可靠性隐患多……等一系列的技术瓶颈。 别急，**MPS重磅推出新一代高集成多路
技术干货丨借助GaN双向开关革新电源设计
随着全球电源需求正出现前所未有的激增，设计人员不断面临挑战，需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸，并以更高的效率提供更高的功率水平。 氮化镓（GaN）以其优越的半导体特性，正在推动一场变革，引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。 高电压GaN双向开关（BDS）通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断，从而助
限时报名中丨东芝3kW服务器电源的参考设计介绍
还在为器件选型、模块自研、研发周期短等问题而头疼？ 东芝半导体线上研讨会重磅来袭，直击服务器电源设计核心痛点，解锁参考设计应用全流程，帮您轻松搞定设计难题。 东芝3kW服务器电源的参考设计介绍 本次研讨会聚焦工程师高频设计困扰，从电路设计、技术特点、使用方法到应用领域全面解析，全面为您介绍东芝参考设计库，并带来服务器3kW电源参考设计分享，结合SiC MOSFET技术亮点，助力提升电源功率密度。
东芝线上研讨会报名开启丨东芝3kW服务器电源的参考设计介绍
还在为器件选型、模块自研、研发周期短等问题而头疼？ 东芝半导体线上研讨会重磅来袭，直击服务器电源设计核心痛点，解锁参考设计应用全流程，帮您轻松搞定设计难题。 本次研讨会聚焦工程师高频设计困扰，从电路设计、技术特点、使用方法到应用领域全面解析，同时为您介绍东芝参考设计库，并带来服务器3kW电源参考设计分享，结合SiC MOSFET技术亮点，助力提升电源功率密度。 研讨会主题 东芝3kW服务器电源的参
解决半导体测试与 ATE 电源设计中的四大关键挑战
简介 由于人工智能 (AI)、5G、物联网 (IoT) 和电动汽车 (EV) 的快速发展，近年来对半导体测试仪和自动测试设备(ATE) 的需求持续增长。这些行业的芯片越来越复杂，因此需要更强大、更精确的 ATE 来进行测试。在设计半导体测试设备的电源时，随着这些测试仪的复杂性不断增加，通常会导致电流要求不断提高，并需要考虑许多其他特殊注意事项。 选择直流/直流转换器时，通常对噪声和频率有严格的要求