三菱电机全新沟槽栅型SiC-MOSFET:降低50%功耗,助力电动汽车和可再生能源
三菱电机推出四款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片,专为电动汽车主驱逆变器、车载充电器和可再生能源系统设计,显著降低功耗并提高性能。
关于「三菱电机 (Mitsubishi Ele」的技术文章、设计资料与工程师讨论,持续更新。
三菱电机推出四款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片,专为电动汽车主驱逆变器、车载充电器和可再生能源系统设计,显著降低功耗并提高性能。
SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能,因此在质量保证方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技术实现稳定的品质,而SiC则需要更严格的品质控制和可靠性测试,以充分发挥其
引言:自动驾驶数据采集的核心挑战随着L4级自动驾驶技术进入商业化落地阶段,如何高效采集并处理海量多源传感器数据成为行业痛点。康谋科技推出的DATALynx高性能车载服务器与 B