用Cadence Virtuoso IC617仿真工艺库参数
本文将会描述，如何通过V-I特性曲线得出SMIC 0.18um工艺库的工艺参数。 N-MOS的测量 提取数据 上一篇文章已经得到了在不同的vgs下的vds参数曲线。原理图如下。W为220um，L为180um，后面会用到。 为了更精确得到数据，这里改变一下扫描范围，vds范围改为0-2V，vgs范围改为0.6-1.2V，步长设置为0.2V，得出结果如下图。 选择Marker菜单中的Create
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本文将会描述，如何通过V-I特性曲线得出SMIC 0.18um工艺库的工艺参数。 N-MOS的测量 提取数据 上一篇文章已经得到了在不同的vgs下的vds参数曲线。原理图如下。W为220um，L为180um，后面会用到。 为了更精确得到数据，这里改变一下扫描范围，vds范围改为0-2V，vgs范围改为0.6-1.2V，步长设置为0.2V，得出结果如下图。 选择Marker菜单中的Create