本文将会描述，如何通过V-I特性曲线得出SMIC 0.18um工艺库的工艺参数。
N-MOS的测量
提取数据
上一篇文章已经得到了在不同的vgs下的vds参数曲线。原理图如下。W为220um，L为180um，后面会用到。
为了更精确得到数据，这里改变一下扫描范围，vds范围改为0-2V，vgs范围改为0.6-1.2V，步长设置为0.2V，得出结果如下图。
选择Marker菜单中的Create Marker，在图标中添加标记，软件会自动得出相交点的数据。
添加一个垂直的标记，为了简便我选的是1V的坐标，点击OK后，再添加一个1.5V的坐标，这样我们就有了两组数据。
添加垂直标记后的效果，点击标记，就能显示出数值。这里为了方便计算，我选择vgs对应0.8V和1V下的数据，此时vds选择的是1V和1.5V。
具体数据记录如下表，由于计算时都是约数，实际上小数点保留两位时影响并不大
| vgs = 0.8V | vgs = 1.0V |
|---|---|
| vds = 1V | 28.62uA |
| vds = 1.5V | 30.35uA |
计算过程
通过引入带沟道调制效应系数的公式，三步得出结果。
P-MOS的测量
P-MOS的参数也是通过上面的方法测得。
提取数据
上一篇文章已经得到了在不同的vsg下的vsd参数曲线。原理图如下。W为220um，L为180um，后面会用到。
经评论区提醒，P-MOS的D和S反了，所以建议按下图构建原理图。由于原理图出错，后面结果和数据是错误的，大家自己计算一下吧。
为了更精确得到数据，这里改变一下扫描范围，vsd范围改为0-2V，vsg范围改为0.6-1.2V，步长设置为0.2V，添加1V和1.5V的Marker垂直标记线后，得出结果如下图。
具体的数据记录如下表，由于计算时都是约数，实际上小数点保留两位时影响并不大。其中IDS取的是绝对值。
| vsg = 0.8V | vsg = 1.0V |
|---|---|
| vsd = 1V | 12.83uA |
| vsd = 1.5V | 13.33uA |
计算过程
通过引入带沟道调制效应系数的公式，三步得出结果。
以下是自己仿真过程：
用virtuoso仿真工艺库的参数
NMOS2V的参数工艺仿真
设置偏置
设置仿真变量：
设置W/L，其中W=220n，L=180n
vds范围为0-2V，vgs范围为0.6-1.2V，步长设置为0.2V
| Vgs=0.8v | Vgs=1.0v |
|---|---|
| Vds=1v | 25.455uA |
| Vds=1.5v | 27.183uA |
通过引入带沟道调制效应系数的公式，三步得出结果。
对于PMOS2V,其测试图要小心
| Vgs=-0.8v | Vgs=-1.0v |
|---|---|
| Vds=-1v | -6.0259uA |
| Vds=-1.5v | -6.471uA |
评论区
登录后即可参与讨论
立即登录