三菱电机全新沟槽栅型SiC-MOSFET：降低50%功耗，助力电动汽车和可再生能源
三菱电机推出四款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，专为电动汽车主驱逆变器、车载充电器和可再生能源系统设计，显著降低功耗并提高性能。
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三菱电机推出四款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，专为电动汽车主驱逆变器、车载充电器和可再生能源系统设计，显著降低功耗并提高性能。
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