存储芯片：从DRAM制程微缩到NAND层数堆叠
本文将介绍存储芯片领域的DRAM和NAND Flash路线。 在存储芯片领域，DRAM和NAND Flash走着两条截然不同的技术演进路线——DRAM在不断缩小线宽，NAND在不停增加层数。图片展示的正是这种并行推进的“双轨制”创新。 DRAM Flash DRAM这边，看的是制程节点。 图片中标注的1α和1β是三星的DRAM制程世代代号，类似于逻辑芯片的“纳米节点”。1α是当时业界最先进的量产
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本文将介绍存储芯片领域的DRAM和NAND Flash路线。 在存储芯片领域，DRAM和NAND Flash走着两条截然不同的技术演进路线——DRAM在不断缩小线宽，NAND在不停增加层数。图片展示的正是这种并行推进的“双轨制”创新。 DRAM Flash DRAM这边，看的是制程节点。 图片中标注的1α和1β是三星的DRAM制程世代代号，类似于逻辑芯片的“纳米节点”。1α是当时业界最先进的量产