SiC JFET在固态断路器中的热插拔控制详解
本文详细介绍了SiC JFET在固态断路器中的应用，包括评估结果、热插拔控制及浪涌电流限制。通过实验数据和图表展示了SiC JFET的性能优势。
标签专题 · 共 16 篇文章
# onsemi (安森美)
关于「onsemi (安森美)」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
16
篇文章
49
人关注
791
次浏览
安森美SiC JFET：提升数据中心功率密度与能效
本文介绍了安森美的SiC JFET和Combo JFET产品组合，重点阐述了其在固态断路器和数据中心中的应用优势，包括高能效、高功率密度以及更低的导通电阻。
Altium Designer 26.1.1新功能详解：提升PCB设计效率
Altium Designer 26.1.1 发布时间：2025年12月3日 Altium Designer 26.1.1 离线包 15天免费试用 Altiu
华大九天Argus 3D：3D IC全链路物理验证新方案
随着摩尔定律逐步逼近物理极限，半导体行业正转向三维垂直拓展的技术路径，以延续迭代节奏、实现“超越摩尔”目标。Chiplet为核心的先进封装技术，通过将不同工艺、功能的裸片(
安森美SiC JFET：固态断路器性能提升的关键
输配电系统与各类灵敏用电设备的安全运行，离不开对长时间过载与瞬态短路故障的妥善防护。这些风险若未及时管控，轻则导致设备损坏，重则引发系统瘫痪。随着电力系统电压等级持续提升、
安森美标准产品：LDO、逻辑器件、EEPROM和隔离方案详解
电子系统设计师在为当今的汽车、工业和消费应用设计产品时面临着一系列挑战。他们必须确保产品在不同设备上的精确度、紧凑集成和能源效率，同时满足不断增长的性能期望。与此同时，对于
安森美CAT93C86 16Kb Microwire串行EEPROM：技术特性与应用详解
安森美 (onsemi) CAT93C86 16Kb Microwire串行EEPROM是一款配置为16位（VCC的ORG引脚）或8位（GND的ORG引脚）寄存器的存储器件。每
芯盾时代零信任安全网关：AI驱动的数据访问控制解决方案
历时6个月，拉着公司各个部门开了N场会，把所有数据资源盘了好几遍，你终于搞定了数据分类分级。客户数据、业务数据、财务数据……清清楚楚；公开、内部、敏感、机密……明明白白。
详解onsemi MC74VHCT132A四路2输入NAND施密特触发器
安森美 MC74VHCT132A四路2输入NAND施密特触发器是先进的高速CMOS施密特NAND触发器，采用硅栅CMOS技术制造而成。安森美 MC74VHCT132A实现类似于
安森美NCV8406DD双路自保护低侧驱动器技术解析
安森美 NCV8406DD双路自保护低侧驱动器是一款双路保护的低侧智能分立器件，具有 温度和电流限制功能。保护特性包括过流、过热、ESD，以及集成的进行过压保护的漏极至栅极的钳
安森美NCV78343像素控制器技术详解及应用指南
安森美 NCV78343汽车（前）照明单芯片像素控制器是一款单芯片像素控制器，带控制串联LED灯串中单个LED的嵌入式开关。安森美 NCV78343设计用于汽车动态照明应用，特
安森美4N35光耦合器技术详解及应用场景
安森美4N35光耦合器是通用型光耦合器，由驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管组成。这些光耦合器采用6引脚双列直插式封装 (DIP)。4N35光耦合器在IF = 10mA、V
安森美FODM291直流检测输入光耦合器技术详解及应用领域
安森美FODM291直流检测输入光耦合器是单通道光电晶体管光耦合器，采用半间距迷你扁平4引脚封装，引线间距为1.27 mm。这些光耦合器由驱动光电晶体管的砷化镓红外发光二极管组
中航光电推出高性能光伏单芯连接器，助力光伏产业高质量升级
在“双碳”目标引领与全球能源转型加速的双重驱动下，中国新能源产业已迈入“规模扩张”与“质量提升”并行的高质量发展战略机遇期，成为支撑能源安全与绿色低碳转型的核心力量。国家明
onsemi NL3X5004电压电平转换器：技术详解与应用指南
onsemi NL3X5004电压电平转换器是无需方向控制引脚的4位140Mb/s、可配置双电源自动感应双向电平转换器。A端口和B端口旨在分别跟踪两个不同的电源轨（VCCA 和
onsemi NTMFS003P03P8Z P沟道MOSFET：技术特性与应用指南
onsemi NTMFS003P03P8Z P沟道MOSFET是一种单通道、-30V MOSFET，尺寸为5mmx6mm，可节省空间并具有出色的热传导性能。这款P沟道MOSFE