Samsung 三星半导体

官方认证品牌 半导体/存储
全球最大存储芯片商

全球最大的存储芯片制造商之一,在DRAM、NAND Flash和先进制程代工领域占据领先地位。

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最新发布技术方案与资讯(20)

Charge Trap与Floating Gate

Charge Trap与Floating Gate

本文介绍了Charge Trap与Floating Gate。 本期聊聊两种主要的NAND 技术路线,以及国际大厂阵营的分类。 在实现真正的 3D NAND 量产之前,各类技术研讨会上已经对多种 3D NAND 方案开展...

都叫3D芯片,为什么是三门不同的生意?

芯片一级市场又热起来了。 上一轮国产GPU投资陆续进入兑现期后,资本开始寻找下一批可能跑出来的AI芯片公司。近存计算、存算一体、3D近存、3D TokenPU……名字各不相同,却越来越频繁地被归入同一个标签:3D堆叠。 ...

存储芯片:从DRAM制程微缩到NAND层数堆叠

存储芯片:从DRAM制程微缩到NAND层数堆叠

本文将介绍存储芯片领域的DRAM和NAND Flash路线。 在存储芯片领域,DRAM和NAND Flash走着两条截然不同的技术演进路线——DRAM在不断缩小线宽,NAND在不停增加层数。图片展示的正是这种并行推进的“...

玻璃基板在MEMS中扮演哪些角色

玻璃基板在MEMS中扮演哪些角色

本文介绍了玻璃基板在MEMS的四种角色。 最近Corning、Intel、三星在先进封装玻璃基板和TGV上砸的弹药不少,行业文章一半以上在谈"玻璃替代有机载板做 2.5D/3D"。但往前翻一层,MEMS 才是玻璃基板老用...

芯片先进封装的四种:CoWoS、CoPoS、Glass Core与CoWoP

芯片先进封装的四种:CoWoS、CoPoS、Glass Core与CoWoP

本文将介绍四种芯片先进封装。 在先进封装领域,如何把多颗芯片(比如计算芯片和存储芯片)高效地拼在一起,不同厂商给出了不同的答案。图片展示了四种主流方案,它们在材料、结构和成本上各有取舍。 CoWoS CoWoS是目前最成...

芯片界的“背向革命”:让供电后撤,性能翻番

芯片界的“背向革命”:让供电后撤,性能翻番

本文将介绍芯片界的“背向革命”。 在芯片制造的微观世界里,晶体管像是数亿个微型开关,而连接它们的金属线就像城市里的立交桥。过去几十年,供电和信号传输都挤在芯片的“正面”(晶圆表面)。然而,随着晶体管尺寸逼近物理极限,正面...

一文了解3D NAND存储芯片发展及工作原理与失效机制

一文了解3D NAND存储芯片发展及工作原理与失效机制

从ITRS到IRDS,半导体路线图正从晶体管微缩转向系统级集成与新材料探索。作为三维集成典范,3D NAND通过垂直堆叠与多值存储持续提升密度,但电荷俘获、横向迁移等失效机制对可靠性提出新挑战,需结合失效建模与预测策略加...

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