充分释放GaN潜能:纳芯微GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题
随着AI算力爆发以及人形机器人产业的快速演进,电源系统向着更高功率、更高效率、更小体积的方向快速迭代。氮化镓 (GaN) 作为宽禁带代表性器件,凭借开关速度快、损耗低、面积小等先天优势,已经成为超高功率密度系统不可或缺的核心拼图。但GaN是一把双刃剑,其优越性能落地到实际硬件设计时会遇到诸多工程挑战,如何通过驱动IC的技术创新,把GaN的理论性能充分释放,已经成为行业关注的焦点。 本文将从GaN应
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过去十年,工业系统的升级路径几乎都围绕着同一个关键词展开:效率。更高的开关频率、更紧凑的板级布局、更高的功率密度,构成了新一代工业设备的基本特征。无论是新能源逆变器、伺服驱动系统,还是自动化产线,系统结构都在向高压化与集成化并行推进。 光伏电压从1500V向2000V探索,电动汽车平台从400V迈向800V,PLC在继电器大小的空间里集成浮点运算和PID调节。可以看到,电压越高,安全边界越险;密度