充分释放GaN潜能：纳芯微GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题
随着AI算力爆发以及人形机器人产业的快速演进，电源系统向着更高功率、更高效率、更小体积的方向快速迭代。氮化镓 (GaN) 作为宽禁带代表性器件，凭借开关速度快、损耗低、面积小等先天优势，已经成为超高功率密度系统不可或缺的核心拼图。但GaN是一把双刃剑，其优越性能落地到实际硬件设计时会遇到诸多工程挑战，如何通过驱动IC的技术创新，把GaN的理论性能充分释放，已经成为行业关注的焦点。 本文将从GaN应
芯片新品、DC-DC转换、 研讨会技术专题 · 共 3 篇内容
# 高功率密度
「高功率密度」是电子工程与芯片新品、DC-DC转换、 研讨会领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 3 篇关于 高功率密度 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料（最近更新于 2026年09月）。核心收录议题涵盖《充分释放GaN潜能：纳芯微GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题》《ST 800V HVDC方案落地，多电压架构将AI机柜供电浓缩于掌心》《报名开启｜英飞凌AI服务器电源优化线上研讨会：Si/GaN/SiC组合方案，解锁下一代数据中心能效新高度》等实战工程解析。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。
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ST 800V HVDC方案落地，多电压架构将AI机柜供电浓缩于掌心
在AI的算力竞赛中，GPU决定了性能的天花板，而电源决定了这个天花板能被撑多高。AI大模型的训练与推理推动AI数据中心机柜功率从15kW级一路飙升至100kW、300kW、600kW，甚至1MW。传统54V配电系统已不堪重负。试想一下：在600kW的机柜中采用48V配电，电流将高达12500A。这意味着机柜内需要非常重的母线，电源模块更会挤占宝贵的GPU空间，过高的温度也让散热成为噩梦。服务器行业
报名开启｜英飞凌AI服务器电源优化线上研讨会：Si/GaN/SiC组合方案，解锁下一代数据中心能效新高度
AI算力爆发，数据中心机架功率持续攀升，高功率密度、高能效、高可靠性已成为AI服务器电源设计的核心挑战。如何通过先进半导体技术与拓扑方案，让电源系统适配下一代AI算力需求？ 英飞凌特邀行业专家，带来中文专场线上研讨会，聚焦AI服务器电源全链路技术，分享硅、氮化镓、碳化硅融合方案与实战参考设计，助力工程师优化电源架构、提升系统性能。 会议亮点抢先看 1. 直击AI服务器电源核心痛点 深度解析下一代A