充分释放GaN潜能:纳芯微GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题
随着AI算力爆发以及人形机器人产业的快速演进,电源系统向着更高功率、更高效率、更小体积的方向快速迭代。氮化镓 (GaN) 作为宽禁带代表性器件,凭借开关速度快、损耗低、面积小等先天优势,已经成为超高功率密度系统不可或缺的核心拼图。但GaN是一把双刃剑,其优越性能落地到实际硬件设计时会遇到诸多工程挑战,如何通过驱动IC的技术创新,把GaN的理论性能充分释放,已经成为行业关注的焦点。 本文将从GaN应
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在AI的算力竞赛中,GPU决定了性能的天花板,而电源决定了这个天花板能被撑多高。AI大模型的训练与推理推动AI数据中心机柜功率从15kW级一路飙升至100kW、300kW、600kW,甚至1MW。传统54V配电系统已不堪重负。试想一下:在600kW的机柜中采用48V配电,电流将高达12500A。这意味着机柜内需要非常重的母线,电源模块更会挤占宝贵的GPU空间,过高的温度也让散热成为噩梦。服务器行业
AI算力爆发,数据中心机架功率持续攀升,高功率密度、高能效、高可靠性已成为AI服务器电源设计的核心挑战。如何通过先进半导体技术与拓扑方案,让电源系统适配下一代AI算力需求? 英飞凌特邀行业专家,带来中文专场线上研讨会,聚焦AI服务器电源全链路技术,分享硅、氮化镓、碳化硅融合方案与实战参考设计,助力工程师优化电源架构、提升系统性能。 会议亮点抢先看 1. 直击AI服务器电源核心痛点 深度解析下一代A