芯片研磨后的清洗
本文主要讲述芯片研磨后的清洗。 在芯片制造的CMP（化学机械抛光）之后，晶圆表面看起来光洁如镜，但实际却狼狈不堪——抛光液残留、金属离子污染、有机杂质、微细颗粒，全都牢牢粘在表面。如果不彻底洗干净，后续光刻、沉积、刻蚀的良率会直接崩盘。CMP后的清洗，是晶圆从“磨完”到“能用”之间必经的一道生死关。 软垫化学机械抛光和双面刷洗属于强物理清除手段，靠剪切力把颗粒从表面“刮”下来。软垫抛光用旋转的软质
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