Infineon TRENCHSTOP™ IGBT7 单管产品目前已形成完善的产品矩阵，涵盖650V、750V、1200V三种主流电压等级。基于不同应用场景的需求，产品系列分为T7、S7、H7三大系
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在关于碳化硅（SiC）MOSFET 的栅极不稳定性的研究中，除了上期介绍的的 DC BTI，还有一种碳化硅专属的退化机制—— 栅极开关不稳定性（GSI），它在高频开关的实际应用中引发的参数漂移，远超传 -
还记得电影《F1：狂飙飞车》中，那些让人肾上腺素飙升的镜头吗？男主桑尼驾驶着APX GP，在直道末端以超过300公里的时速呼啸而过。如果你用手机拍摄这一瞬间，得到的可能是一片模糊的光影——你只知道有辆 -
新品 用于中压驱动与电机控制的 IGBT 7 EconoPACK™ 3模块 EconoPACK™ 3 1700V TRENCHSTOP™ IGBT7模块为中压驱动与电机控制提供业界领先的性能。该模块 -
在新能源、工控、储能等高压大功率场景中，沟槽栅 SiC MOSFET凭借优异的开关性能被广泛应用。但在电机驱动、电源转换等感性负载场景中，MOSFET关断时因电流突变会在漏源极间产生高压尖峰。若无钳 -
在碳化硅SiC MOSFET快速普及的今天，短路稳定性一直是行业关注与争议的焦点。很多工程师误以为：SiC MOSFET 天生扛不住短路，是硬缺陷。事实真的如此吗？ 英飞凌基于大量实测与器件机理研究 -
EVAL-FP50R12W2T7M5 评估板搭载 EasyPIM™ 2B，适用于采用 TRENCHSTOP™ IGBT7 的通用驱动器。此评估板有助于通过双脉冲测试和系统测试来研究模块的特性。除了通 -
IPAC 2026双技术峰会报名持续火爆！ 为感谢每一位支持者的信任，我们在5月22日IPAC碳化硅零碳应用技术大会现场准备了三重惊喜好礼！ IPAC碳化硅零碳应用技术大会 📅 时间：2026年5月2
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近日，英飞凌科技与思格新能源（上海）股份有限公司正式宣布深化合作，双方将基于英飞凌最新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，共同为思格新能源户用光伏储能逆变器解决方案 -
在电力电子领域，SiC MOSFET 正凭借高频、高效、高温的显著优势在新能源汽车、光伏储能、工业电源等核心场景加速渗透。SiC MOSFET能复用硅基器件(如垂直型MOSFET或IGBT)的许多基本 -
新品 栅极驱动器搭配1200 V碳化硅SiC 功率开关的半桥配置评估板 英飞凌EVAL-1ED3321MC12N-SIC评估板是模块化评估平台的一部分，可简化EiceDRIVER™ 1ED3321M -
SiC MOSFET 凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC 功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。 问题包括但不限 -
1200V 62mm IGBT 7半桥模块 英飞凌推出1200V 62mm半桥模块产品扩充，额定电流涵盖450A到800A，采用预涂导热界面材料和共发射极配置。 产品描述： ■FF800R12KE7 -
随着电动汽车与储能产业高速增长，行业对高寿命、高效率、高功率密度的功率器件需求愈发迫切。英飞凌全新推出采用.XT 扩散焊技术与1200V CoolSiC™ MOSFET G2 的 Easy C 系列功
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IPAC 双技术峰会特别邀请到英飞凌与业内权威技术专家，他们将凭借深厚的专业知识和丰富的实践经验，为你深入剖析碳化硅（SiC）技术的未来发展方向与详细规划，同时全面解读 SiC 在热门应用领域的行业动
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01 SiC MOSFET的体二极管及其关键特性 无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示： 图1. 沟槽型--英飞凌非对 -
新品 CoolMOS™ CFD7 SJ 高压超结 MOSFET 650V系列 650V CoolMOS™ CFD7是英飞凌最新高压超结MOSFET技术，集成快速体二极管，完善了CoolMOS™ 7系 -
近日，英飞凌科技(以下简称“英飞凌”)与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT -
自2014年首届举办以来，IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会已走过十二载征程。我们始终以“驱动工业低碳转型”为使命，深耕零碳技术领域，累计吸引上万名行业精英、专家学者及企业代表参与，成为业内最具影响力
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新品 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin 高爬电距离封装 英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET