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# 半导体与集成电路

关于「半导体与集成电路」的技术文章、设计资料与工程师讨论,持续更新。

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芯联集成与豫信电科战略合作:共拓AI服务器电源管理芯片市场

芯联集成与豫信电科战略合作:共拓AI服务器电源管理芯片市场

芯联集成与豫信电科达成全面战略合作,共同推动AI服务器电源管理芯片业务协同及碳化硅功率器件模块产业化。

三星携手NVIDIA:50,000颗GPU打造AI工厂,推动智能制造转型

三星携手NVIDIA:50,000颗GPU打造AI工厂,推动智能制造转型

三星与NVIDIA合作打造AI工厂,部署50,000颗GPU,推动半导体、移动设备和机器人产业的数字化转型。通过NVIDIA Omniverse平台加速数字孪生制造,提升生产效率。

DRAM最高涨30%:2025年存储芯片涨价趋势解析

DRAM最高涨30%:2025年存储芯片涨价趋势解析

由于AI需求激增,存储厂商如三星、SK海力士等计划在第四季度上调DRAM和NAND价格。江波龙第三季度业绩显著增长,多家存储封测厂商也计划涨价。

三星2nm制程良率突破50%:2027年晶圆代工盈利可期

三星2nm制程良率突破50%:2027年晶圆代工盈利可期

据报道,三星第一代2nm GAA制程良率已提升至50%,并计划在2027年前实现晶圆代工业务盈利。Exynos 2600处理器的量产验证了这一进展,第二代2nm制程SF2P预计将进一步提升性能。

28纳米SuperFlash车规1级平台:提升汽车控制器性能与可靠性

28纳米SuperFlash车规1级平台:提升汽车控制器性能与可靠性

冠捷半导体(SST)与联华电子(UMC)宣布28纳米SuperFlash®第四代车规1级平台正式投产,提供高性能和可靠性,支持汽车控制器。

班通科技推出国产PCB检测设备:铜厚测试仪和TDR阻抗测试仪详解

班通科技推出国产PCB检测设备:铜厚测试仪和TDR阻抗测试仪详解

班通科技推出一系列国产PCB检测设备,包括铜厚测试仪、TDR阻抗测试仪和离子污染测试仪等,旨在实现对进口设备的有效替代,确保我国电子产业链的自主可控。

赛思电子SLIC芯片:高集成可定制,打破技术瓶颈

赛思电子SLIC芯片:高集成可定制,打破技术瓶颈

赛思电子推出的新一代SLIC芯片具备高集成、可编程和定制化特性,满足通信基建、VOIP网关等应用需求,打破国内技术瓶颈,实现高性能与量产。

分立器件静态参数详解:影响及测试方法

分立器件静态参数详解:影响及测试方法

文章介绍了分立器件的静态参数测试及其重要性,包括栅极-发射极阈值电压、漏电流、饱和电压等,并分析了这些参数对器件性能的影响。

高亮度LED脉冲特性表征:Keithley KickStart软件详解

高亮度LED脉冲特性表征:Keithley KickStart软件详解

本文介绍了如何使用Keithley KickStart软件对高亮度LED进行脉冲特性表征,包括脉冲测试的优势、HBLED的电学特性测试方法以及具体的操作步骤。

思特威2025年净利润大增:CMOS图像传感器引领智能手机、安防、汽车市场

思特威2025年净利润大增:CMOS图像传感器引领智能手机、安防、汽车市场

思特威发布2025年业绩预告,预计营业收入和净利润大幅增长。公司在智能手机、智能安防和智能汽车领域的出货量持续上升,推动业绩提升。

HUSB385A:全集成零外围充电控制器详解

HUSB385A:全集成零外围充电控制器详解

深圳慧能泰半导体科技有限公司推出了全集成零外围的2C1A或2A1C充电控制器HUSB385A,支持多种快充协议,适用于高效紧凑设计的充电器。

安森美SiC JFET:提升数据中心功率密度与能效

安森美SiC JFET:提升数据中心功率密度与能效

本文介绍了安森美的SiC JFET和Combo JFET产品组合,重点阐述了其在固态断路器和数据中心中的应用优势,包括高能效、高功率密度以及更低的导通电阻。

SGM3802双输出LCD偏置电源芯片:支持I²C编程详解

SGM3802双输出LCD偏置电源芯片:支持I²C编程详解

圣邦微电子推出SGM3802,一款专为TFT LCD偏置设计的高集成度双输出电源芯片,支持I²C接口步进编程,适用于多种应用场景。

NCEP025S90T:新洁能250V超快反向恢复MOSFET详解

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新洁能推出250V SGT MOSFET NCEP025S90T,具有超快反向恢复特性,显著降低反向恢复电荷,适用于高性能、高可靠性的硬开关应用场景。

Diodes推出28V USB Type-C PD3.1控制器:支持140W输出

Diodes推出28V USB Type-C PD3.1控制器:支持140W输出

Diodes公司推出两款28V USB Type-C双重功能电源传输控制器AP53781和AP53782,支持最新的PD3.1 EPR标准,最高输出140W,适用于便携式电池供电设备。

LLC开关电源MOS管失效机制详解:体二极管影响及预防

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本文详细解析了LLC开关电源中MOS管的失效机制,重点讨论了体二极管反向恢复特性对MOS管的影响,并提出了预防措施。

晶体管转移特性曲线详解:核心参数及应用

晶体管转移特性曲线详解:核心参数及应用

本文详细介绍了晶体管的转移特性曲线及其核心参数的意义,包括阈值电压、亚阈值摆幅、跨导和导通电流。这些参数对芯片性能和功耗管理至关重要。

杰平方半导体发布1400V SiC MOSFET:助力800V+电动汽车高压平台

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杰平方半导体推出两款1400V碳化硅SiC MOSFET新品,填补了1200V与1700V之间的市场空白,适用于电动汽车高压平台及其他高压应用场景。

AMD Spartan UltraScale+ FPGA SU45P/SU60P:2026年最新技术解析

AMD Spartan UltraScale+ FPGA SU45P/SU60P:2026年最新技术解析

AMD推出Spartan UltraScale+ FPGA系列的两款新成员SU45P和SU60P,提供高速连接、稳健的安全性和长期可靠性,适用于工业自动化和有线网络系统。

CYPRESS FRAM提升EDR高速数据写入:非易失性存储解决方案

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事件数据记录器(EDR)作为工业控制、汽车安全、航空航天等领域的核心设备,承担着实时记录运行参数与异常事件的重任。传统硬件方案如EEPROM写入速度慢、SRAM易失性数据易丢失