芯联集成与豫信电科战略合作:共拓AI服务器电源管理芯片市场
芯联集成与豫信电科达成全面战略合作,共同推动AI服务器电源管理芯片业务协同及碳化硅功率器件模块产业化。
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芯联集成与豫信电科达成全面战略合作,共同推动AI服务器电源管理芯片业务协同及碳化硅功率器件模块产业化。
三星与NVIDIA合作打造AI工厂,部署50,000颗GPU,推动半导体、移动设备和机器人产业的数字化转型。通过NVIDIA Omniverse平台加速数字孪生制造,提升生产效率。
由于AI需求激增,存储厂商如三星、SK海力士等计划在第四季度上调DRAM和NAND价格。江波龙第三季度业绩显著增长,多家存储封测厂商也计划涨价。
据报道,三星第一代2nm GAA制程良率已提升至50%,并计划在2027年前实现晶圆代工业务盈利。Exynos 2600处理器的量产验证了这一进展,第二代2nm制程SF2P预计将进一步提升性能。
冠捷半导体(SST)与联华电子(UMC)宣布28纳米SuperFlash®第四代车规1级平台正式投产,提供高性能和可靠性,支持汽车控制器。
班通科技推出一系列国产PCB检测设备,包括铜厚测试仪、TDR阻抗测试仪和离子污染测试仪等,旨在实现对进口设备的有效替代,确保我国电子产业链的自主可控。
赛思电子推出的新一代SLIC芯片具备高集成、可编程和定制化特性,满足通信基建、VOIP网关等应用需求,打破国内技术瓶颈,实现高性能与量产。
文章介绍了分立器件的静态参数测试及其重要性,包括栅极-发射极阈值电压、漏电流、饱和电压等,并分析了这些参数对器件性能的影响。
本文介绍了如何使用Keithley KickStart软件对高亮度LED进行脉冲特性表征,包括脉冲测试的优势、HBLED的电学特性测试方法以及具体的操作步骤。
思特威发布2025年业绩预告,预计营业收入和净利润大幅增长。公司在智能手机、智能安防和智能汽车领域的出货量持续上升,推动业绩提升。
深圳慧能泰半导体科技有限公司推出了全集成零外围的2C1A或2A1C充电控制器HUSB385A,支持多种快充协议,适用于高效紧凑设计的充电器。
本文介绍了安森美的SiC JFET和Combo JFET产品组合,重点阐述了其在固态断路器和数据中心中的应用优势,包括高能效、高功率密度以及更低的导通电阻。
圣邦微电子推出SGM3802,一款专为TFT LCD偏置设计的高集成度双输出电源芯片,支持I²C接口步进编程,适用于多种应用场景。
新洁能推出250V SGT MOSFET NCEP025S90T,具有超快反向恢复特性,显著降低反向恢复电荷,适用于高性能、高可靠性的硬开关应用场景。
Diodes公司推出两款28V USB Type-C双重功能电源传输控制器AP53781和AP53782,支持最新的PD3.1 EPR标准,最高输出140W,适用于便携式电池供电设备。
本文详细解析了LLC开关电源中MOS管的失效机制,重点讨论了体二极管反向恢复特性对MOS管的影响,并提出了预防措施。
本文详细介绍了晶体管的转移特性曲线及其核心参数的意义,包括阈值电压、亚阈值摆幅、跨导和导通电流。这些参数对芯片性能和功耗管理至关重要。
杰平方半导体推出两款1400V碳化硅SiC MOSFET新品,填补了1200V与1700V之间的市场空白,适用于电动汽车高压平台及其他高压应用场景。
AMD推出Spartan UltraScale+ FPGA系列的两款新成员SU45P和SU60P,提供高速连接、稳健的安全性和长期可靠性,适用于工业自动化和有线网络系统。
事件数据记录器(EDR)作为工业控制、汽车安全、航空航天等领域的核心设备,承担着实时记录运行参数与异常事件的重任。传统硬件方案如EEPROM写入速度慢、SRAM易失性数据易丢失