面向5G、6G需求：长电科技实现玻璃基TGV射频IPD性能突破
4月17日，长电科技宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证，通过测试结构的试制与实测评估，公司验证了在玻璃基底上构建三维集成无源器件的可制造性与性能优势，为5G及面向6G的更宽带宽射频前端与系统级封装优化提供了新的工程化路径。 TGV IPD示意图 长电科技基于TGV构建3D互连骨架，在玻璃基板上实现电感、电
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4月17日，长电科技宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证，通过测试结构的试制与实测评估，公司验证了在玻璃基底上构建三维集成无源器件的可制造性与性能优势，为5G及面向6G的更宽带宽射频前端与系统级封装优化提供了新的工程化路径。 TGV IPD示意图 长电科技基于TGV构建3D互连骨架，在玻璃基板上实现电感、电