芯片设计中的ESD防护设计介绍
本文主要讲述芯片设计中的ESD防护设计介绍。 在集成电路（IC）的设计、制造、封装、测试及应用全流程中，静电放电（ESD）是最常见且破坏性极强的隐患之一。ESD放电时间虽仅为纳秒至微秒级，但瞬时峰值电流可达数十安培，足以击穿芯片内部的精密结构。因此，芯片设计时需要集成专用的ESD防护电路，在输入/输出引脚、电源引脚附近形成低阻抗放电通路，将静电能量旁路到地，避免核心电路受损。 ESD防护设计的核心
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本文主要讲述芯片设计中的ESD防护设计介绍。 在集成电路（IC）的设计、制造、封装、测试及应用全流程中，静电放电（ESD）是最常见且破坏性极强的隐患之一。ESD放电时间虽仅为纳秒至微秒级，但瞬时峰值电流可达数十安培，足以击穿芯片内部的精密结构。因此，芯片设计时需要集成专用的ESD防护电路，在输入/输出引脚、电源引脚附近形成低阻抗放电通路，将静电能量旁路到地，避免核心电路受损。 ESD防护设计的核心