氮化镓之撸起袖子驱动GaN
上篇文章（参考阅读：氮化镓增强型GaN晶体管结构简介）已经就GIT电流型和SG电压型氮化镓晶体管的内部构造和工作原理进行了介绍，在此基础上，本篇将继续介绍其对应驱动电路的设计。 GIT电流型 GaN 晶体管的驱动电路 GIT型和SG型两种增强型的GaN器件的栅极电荷都远低于Si基的器件，一般用来驱动标准MOS管的门极驱动芯片都足够用来驱动GaN晶体管。但值得注意的是，增强型氮化镓的VGS(TH)阈
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上篇文章（参考阅读：氮化镓增强型GaN晶体管结构简介）已经就GIT电流型和SG电压型氮化镓晶体管的内部构造和工作原理进行了介绍，在此基础上，本篇将继续介绍其对应驱动电路的设计。 GIT电流型 GaN 晶体管的驱动电路 GIT型和SG型两种增强型的GaN器件的栅极电荷都远低于Si基的器件，一般用来驱动标准MOS管的门极驱动芯片都足够用来驱动GaN晶体管。但值得注意的是，增强型氮化镓的VGS(TH)阈