imec：垂直DRAM堆叠拓展HBM-on-GPU外热设计空间
imec研究人员提出3D立体DRAM-on-GPU集成方案，将DRAM芯片垂直置于GPU上方并设冷却腔，替代传统2.5D HBM和直接堆叠HBM-on-GPU。
人工智能、半导体产业技术专题 · 共 2 篇内容
# 3D集成
「3D集成」是电子工程与人工智能、半导体产业领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 2 篇关于 3D集成 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料（最近更新于 2026年10月）。核心收录议题涵盖《imec：垂直DRAM堆叠拓展HBM-on-GPU外热设计空间》《ASML专利曝光：欲将“Twinscan”技术移植至W2W混合键合设备》等实战工程解析。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。
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ASML专利曝光：欲将“Twinscan”技术移植至W2W混合键合设备
4月28日，在首尔举行的先进封装技术会议上，仁荷大学制造创新研究生院教授朱承焕（Joo Seung-hwan）透露，光刻机霸主ASML似乎正在将其核心Twinscan光刻平台的技术积累，应用于研发晶圆对晶圆（W2W）混合键合设备。这一动向若属实，标志着ASML正试图将其在前道光刻领域的统治力，强势延伸至后道先进封装市场。 根据朱承焕的分析，ASML的专利显示其正在利用Twinscan平台独特的双工