堆叠芯片的“垂直通道”：TSV如何把DRAM叠成高楼
在高性能计算领域，AI芯片需要海量数据带宽，而HBM（高带宽内存）正是为此而生。HBM的核心技术之一，就是TSV（硅通孔）——一种垂直贯穿芯片的导电通道，让数据不再绕行，而是直接穿墙而过。 图片展示的是TSV在3D堆叠中的典型应用。多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，芯片之间通过微凸点（micro bump）和TSV实现电气连接，最下方通过封装基板与逻辑芯片通信。TSV的尺寸通常在直径5微米、深度
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# 3D堆叠
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业绩炸裂！长鑫科技Q1利润：高达330亿！
2026 年 5 月 17 日，长鑫科技集团更新科创板招股说明书，拟募资 295 亿元冲刺上市，这是科创板史上第二大 IPO，仅次于中芯国际。作为国内唯一、全球第四的 DRAM 原厂，长鑫科技从连年亏损到业绩爆发，从技术追赶向高端突破，其 IPO 之路不仅是企业成长的里程碑，更是中国半导体存储产业打破海外垄断、实现自主可控的关键一步。 长鑫科技成立于 2016 年，深耕 DRAM 研发、设计与
十张图拆解存储全球产业链（解读版）
AI服务器的存储并非单一设备，而是分为“三圈粮仓”：HBM紧贴GPU，负责实时喂算力；DRAM内存条位于主板，承担系统调度缓冲；SSD/HDD在机柜中，存放PB级训练数据。三者的带宽、容量、价格差异巨大——HBM带宽可达TB/s级，但容量仅百GB；SSD容量大但速度慢。GPU算力十年涨500倍，HBM是唯一能跟上的存储，成为AI算力的“咽喉”。 从寄存器到硬盘，存储呈现“速度越快、容量越小、价