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得克萨斯理工大学获1900万美元半导体创新资助

核心导读 得克萨斯理工大学惠特阿克工程学院再获超1900万美元得克萨斯半导体创新基金资助,将在拉伯克建设下一代计算集群,结合人工智能、高保真仿真和实验数据,缩短半导体器件与材料开发周期。

得克萨斯理工大学小爱德华·E·惠特阿克工程学院再获得克萨斯半导体创新基金(TSIF)超过1900万美元资助,用于该校持续推进半导体创新。

得克萨斯理工大学此前已获得TSIF资助,用于建设新洁净室,并开发可在恶劣环境中使用的宽禁带/超宽禁带半导体。

传统半导体设计高度依赖基于物理的建模。虽然这种方法较为准确,但计算强度大,可能阻碍创新进程。

本次资助将帮助得克萨斯理工大学在拉伯克建设下一代计算集群。计算集群利用相互连接的高性能服务器网络,作为一个统一系统运行,以处理大规模并行负载。

该项目将人工智能与高保真仿真数据及实验结果相结合,有望缩短下一代半导体器件和材料的开发周期。

惠特阿克工程学院院长Roland Faller表示,得克萨斯理工大学将成为首批获得最新一代英伟达芯片、用于支持该集群的高校之一。

“这项资助使我们能够开展原本无法开展的工作,”Faller表示。“真正让我关注的是其影响。我希望这项资助能催生新的研究,不仅面向工程学院的教师,也面向全校其他领域,甚至可能带来产业合作。”

部分项目包括人工智能驱动的材料发现与建模、人工智能辅助的超宽禁带半导体外延生长,以及面向性能和效率提升的先进半导体器件研究。

除Faller外,研究团队成员包括化学工程助理教授兼桑德森教职学者Joseph Gauthier;霍恩杰出教授、电气与计算机工程小爱德华·E·惠特阿克讲席教授、纳米光子学中心联合主任Hongxing Jiang;电气与计算机工程系主任Ravindra Joshi;电气与计算机工程助理教授Taewoo Kim;负责科研与研究生项目的副院长兼电气与计算机工程教授Changzhi Li。

阅读全文,请访问:https://www.semiconductor-digest.com/texas-tech-receives-19-million-grant-to-further-semiconductor-innovation/?utm_source=rss&utm_medium=rss&utm_campaign=texas-tech-receives-19-million-grant-to-further-semiconductor-innovation

来源: 海外媒体

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