亚琛工业大学优化电子束蒸发降低金属半导体接触退化

湿法腐蚀的侧蚀能“根治”吗？结论是：常规湿法侧蚀本质难除，但特定工艺下可控。若追求零侧蚀，则必须转向干法刻蚀。 一个干脆的结论：在绝大多数常规工艺中，湿法腐蚀的侧蚀（Undercut）无法完全消除，只能尽可能去控制和补偿。如果工艺要求绝对的“零侧蚀”（即完美的90度垂直侧壁），通常只能放弃湿法，改用干法刻蚀。 这主要是由湿法腐蚀的化学本质决定的。 为什么常规湿法生来带有侧蚀 常规的湿法腐蚀属于各

本文将详细介绍DTCO（设计-工艺协同优化）与STCO（系统-工艺协同优化）。 随着半导体工艺制程不断向3nm及以下演进，一个越来越清晰的趋势是：单纯依靠缩小晶体管尺寸来提升性能的传统路径，已不再像过去那样有效。在这一背景下，DTCO（设计-工艺协同优化）与STCO（系统-工艺协同优化）先后走上前台，成为延续芯片性能增长的关键方法论。 发展背景 过去几十年，半导体性能提升主要依赖“工艺驱动”：制程

英特格宣布扩大与铠侠战略合作，结合双方材料科学、计算建模、半导体工艺与存储技术能力，并借助AI、高级建模和数字孪生，加速未来BiCS FLASH 3D闪存及下一代计算的材料创新。

大家好，我是记得诚。 图1蓝色框内是二极管钳位电路的一般结构，多见于芯片输入端。当然还有专门的开关二极管，如下图2红色框内所示。本文主要针对此类型的二极管电路做一些简单介绍。 图1：mcu内部IO结构处的保护二极管 图2：常见的几种开关二极管 电路作用：实现二极管对异常电压的钳位作用，保护后级输入。 实现原理：下图3是用LTspice进行仿真的图形，D1和D2是肖特基二极管，正向导通压降Vf

晶体管的开关速度主要受饱和效应制约。本文及配套演示介绍了Baker 钳位电路（Baker Clamp），可将2N3904晶体管的关断时间从 0.4 微秒缩短至 0.05 微秒。Baker 钳位是经典晶体管电路，能直观展示饱和晶体管内部的电荷存储机理；搭配肖特基二极管即可简易搭建。 新手常会陷入一个误区：认为晶体管数字开关速度由特征频率fT（电流增益带宽积）决定。举个例子，普通 2N3904 的 f

本文详细分析了晶圆划片刀的选择对芯片制造的影响，包括金刚石颗粒大小、颗粒集中度、分离剂强度、刀片厚度等因素，并提供了合理选刀的建议。

本文介绍了什么是微机电系统（MEMS）。 MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems），中文全称是微机电系统。 简单来说，它就是把传统的物理机械系统（比如齿轮、弹簧、杠杆、薄膜）和电子电路“微缩”到了微米甚至纳米级别，然后将它们完美地集成在同一块晶圆上。 如果说传统的 IC（逻辑芯片、存储芯片）是电子设备的“大脑”，只负责在虚拟的电信号世界里运算和记忆；那么 ME

在这个万物互联的时代，你的手机信号能够稳定覆盖数公里，背后的功臣是一个你可能从未听过的核心器件——横向扩散金属氧化物半导体，简称LDMOS。 一、横向的秘密：LDMOS的工作原理 要理解LDMOS，不妨先回忆一下普通MOSFET的结构。在普通MOSFET中，电流从源极流向漏极的方向与硅片表面平行，但控制电流的沟道长度受限于光刻精度。而LDMOS的创新在于“横向扩散”四个字。 想象一下，你需要在一

本文主要介绍了什么是Teflon（特氟龙）。 Teflon是什么？ Teflon是聚四氟乙烯（PTFE，Polytetrafluoroethylene）的商品名，由美国杜邦公司（DuPont）注册，现在已经成为这类材料的通用叫法。 化学结构非常简单： 碳链骨架，所有氢原子被氟原子完全取代，这是它一切特性的根源。 Teflon中文俗名有哪些？ | 叫法 | 使用场景 | | 特氟龙 | 最通用，在

本文介绍了直拉单晶硅的基本制备技术及方法。 单晶硅的制造技术主要存在两种方法，分别为区熔法（FZ 法）和直拉法（CZ法）。 悬浮区熔法（FZ 法）是一种用于生产单晶硅的工艺技术，其核心在于通过熔融区域定向结晶实现晶体生长。在设备构造方面，炉体内上部通过刚性支撑结构固定高纯度多晶硅棒，底部区域配置高频感应线圈作为主要热源。该线圈通过电磁感应原理产生高温，配合特制耐火材料构筑的恒温环境，形成稳定的热力

本文介绍了光刻过程中的PEB工艺。 在半导体光刻工艺中，曝光后烘烤（Post-Exposure Bake，简称PEB）是一个位于曝光之后、显影之前的关键步骤。它通过在精确控温条件下对已曝光的晶圆进行加热，激活并完成光刻胶内的化学反应，从而将曝光阶段形成的“潜影”转化为具有清晰轮廓的物理图形。PEB的精确性和稳定性直接决定了光刻工艺的线宽控制能力、分辨率与良率。 PEB的定义与工艺位置 PEB是光刻

SC-2是RCA清洗中的关键步骤，专用于去除晶圆表面的碱金属与重金属离子。它利用HCl与H₂O₂的强氧化与络合作用，消除SC-1清洗后残留的金属氢氧化物沉淀，并生成保护性氧化层。 SC-2是RCA清洗体系中的第二道清洗液，全称是Standard Clean 2，由美国RCA公司的Werner Kern在1970年发明，至今仍是半导体晶圆清洗的行业标准。 标准配方（体积比）： HCl:H2O2:H

光刻返工是芯片制造中补救涂胶、显影等异常的关键流程，通过去胶、清洗、重新涂胶三步实现。但返工并非无损，每操作一次都会损伤晶圆，先进工艺通常限2次以内，以平衡良率、成本与质量。 在芯片制造的光刻工艺中，谁也无法保证每一次涂胶、曝光、显影都完美无缺。当出现异常时，工程师并不会直接报废整片晶圆——只要条件允许，他们会启动光刻返工流程，把晶圆“洗干净”重新来过。这就像写错字的草稿纸，用橡皮擦掉重写。但这颗

本文介绍了SC-1清洗液。 SC-1 (Standard Clean 1)，全称为标准清洗液一号，通常也叫做 APM (Ammonia Peroxide Mixture)。它是半导体制造中最著名、应用最广泛的清洗配方——RCA 清洗工艺的核心组成部分（由美国无线电公司 RCA 的 Werner Kern 于 1965 年发明）。 SC-1 的配方组成 SC-1 的经典化学配比是： 氨水 (NH3

DRAM 技术正从 10nm 级向更先进节点迈进。为满足 AI 等高算力需求，电容器、晶体管与位单元架构迎来创新，同时外围电路面临热稳定性、多样化性能与成本控制的多重挑战。 几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器（DRAM）作为其主内存，提供处理单元检索数据和程序代码所需的临时存储空间。高速运行、高集成密度、高性价比以及卓越的可靠性，促成 DRAM 技术在众多电子设备中的广泛应用。 DRA

水对人类、生态系统以及半导体生产都至关重要。每年，恩智浦的制造工厂大约使用120亿升水。2022年，我们启动了一项雄心勃勃的计划，旨在回收更多水资源并减轻对当地供水的压力。去年，我们提前两年实现了原定于2027年达成的目标——回收制造过程中60%的废水。 水在芯片制造中的关键作用 芯片是现代世界的基石。从智能手机、汽车到医疗设备和可再生能源系统，一切的核心都离不开它。然而，芯片制造是一个耗水量巨大

本文将介绍芯片制造的刻蚀工艺中的原子层蚀刻（Atomic Layer Etching, ALE）。 ALE工艺概述 随着半导体技术的发展，先进芯片的关键尺寸不断缩小，甚至要求具有复杂的三维结构，如FinFET和3D NAND闪存。这些技术的发展对刻蚀工艺提出了极高的要求，特别是在选择比和精度方面。纳米级器件结构对工艺尺寸误差的要求非常严格，一般约为其自身尺寸的10%。例如，宽度为5纳米(nm)的晶

本文主要介绍了湿法刻蚀中的介质层与金属层加工。 湿法刻蚀 在半导体制造工艺中，湿法刻蚀不仅广泛应用于硅材料本身的加工，更重要的价值体现在介质层与金属薄膜的选择性图形化过程中。无论是栅介质、隔离层、钝化层，还是后续互连结构中的金属布线，其表面加工质量都直接决定器件的电学性能与长期可靠性。因此，针对不同材料体系建立具有高选择性、高均匀性以及低损伤特征的湿法刻蚀体系，始终是微电子工艺开发中的重要内容。

本文介绍了键合及其应用。 在半导体行业追求更高性能、更低功耗的道路上，单纯缩小晶体管尺寸已经越来越难。于是，工程师们换了一个思路：既然横向不能无限缩小，那就纵向堆叠——把不同的芯片像盖楼一样一层层叠起来。这项让芯片“长高”的核心技术，就是键合技术。 键合是什么？芯片界的“强力胶”键合，简单来说就是把两片或多片晶圆（或芯片）永久性地粘合在一起，同时实现它们之间的电气互连。这可不是普通胶水能办到的。

本文介绍了黑瓷封装工艺及失效模式。 黑瓷封装工艺 黑瓷封装工艺流程如图1所示，使用能耐受420°C以上的以玻璃粉为主要成分的胶黏剂烧结粘片，然后完成引线键合，再将黑瓷基座倒扣在黑瓷盖板上，经烘烤除去水分，最后烧结、降温冷却完成玻璃熔封。 管壳清洗 黑瓷外壳在组装之前，应先用丙酮超声清洗3~5min，再用乙醇超声清洗3~5min，用去离子水漂洗并用乙醇脱水，最后烘干，以清除包装、运输过程中粘染的污