光刻过程中的PEB工艺是什么?有什么作用?
本文介绍了光刻过程中的PEB工艺。 在半导体光刻工艺中,曝光后烘烤(Post-Exposure Bake,简称PEB)是一个位于曝光之后、显影之前的关键步骤。它通过在精确控温条件下对已曝光的晶圆进行加热,激活并完成光刻胶内的化学反应,从而将曝光阶段形成的“潜影”转化为具有清晰轮廓的物理图形。PEB的精确性和稳定性直接决定了光刻工艺的线宽控制能力、分辨率与良率。 PEB的定义与工艺位置 PEB是光刻
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本文介绍了光刻过程中的PEB工艺。 在半导体光刻工艺中,曝光后烘烤(Post-Exposure Bake,简称PEB)是一个位于曝光之后、显影之前的关键步骤。它通过在精确控温条件下对已曝光的晶圆进行加热,激活并完成光刻胶内的化学反应,从而将曝光阶段形成的“潜影”转化为具有清晰轮廓的物理图形。PEB的精确性和稳定性直接决定了光刻工艺的线宽控制能力、分辨率与良率。 PEB的定义与工艺位置 PEB是光刻
本文主要讲述NTD(负显影)。 在半导体光刻工艺中,传统正性胶配合碱性水溶液显影(即正显影,PTD)是主流技术。然而,随着工艺节点不断缩小,使用正显影来印刷小尺寸沟槽和通孔变得更具挑战性,因为这类图形通常需要暗场掩模,其光学图像对比度较差。 负显影(Negative Tone Development,NTD)是一种相对较新但至关重要的显影技术。它使用非极性有机溶剂作为显影液,选择性地溶解并去除未