从硅片到芯片：集成电路制造全流程解析
集成电路制造是数百道精密工艺协同的复杂工程，核心是在硅晶圆上通过重复循环构建晶体管与互连网络。本文从晶圆制备、光刻、沉积刻蚀、掺杂改性到互连封装，拆解芯片制造全流程，解析各环节核心原理与技术难点。 从一片硅到一枚芯片：集成电路制造究竟经历了什么？ 一枚集成电路看似只是面积有限的硅芯片，其内部却可能集成数以亿计乃至数百亿计的晶体管，以及规模庞大的金属互连网络。如此复杂的结构并不是一次加工完成的，而
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# 光刻工艺
关于「光刻工艺」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
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光刻工艺的坐标地图：FEM
本文主要讲述光刻工艺的坐标地图FEM。 在芯片光刻中，工程师经常提到“做个FEM”。这其实是光刻工艺调试中最基础也最关键的一步。今天我们就来拆解一下，FEM是什么，以及焦距和能量这两个参数如何决定光刻的成败。 什么是FEM？ FEM是Focus Exposure Matrix的缩写，中文叫焦距能量矩阵。简单说，就是在同一片晶圆上，系统性地改变光刻机的焦距和曝光能量，然后显影，看看哪一组参数刻出来
ADI是什么？有什么作用？
本文主要讲述ADI。 在半导体芯片制造的光刻工艺中，显影后检测（After Development Inspection，简称ADI）是一个关键的质量控制环节。它位于光刻工艺的显影步骤完成之后、刻蚀工艺开始之前，主要目的是确认光刻胶上形成的图形是否符合设计要求。 ADI在光刻工艺中的位置 光刻工艺的基本流程包括涂胶、曝光和显影三个主要步骤。首先在晶圆表面涂上光刻胶，然后通过光刻机将设计图形曝光到光
半导体所举办2026年公众科学日活动
5月16日，半导体所成功举办以“探微观万象启科创未来”为主题的公众科学日活动。100余名青少年、社会公众走进半导体所，触摸创新脉搏，感受科学魅力，传承科学精神。 为进一步贯彻习近平总书记关于科技创新和科学普及的重要论述精神，落实《中华人民共和国科学技术普及法》，推动科学普及与科技创新协同发展，半导体所精心策划了此次活动。活动分为探秘课堂、打卡一线、遇见大师、研招咨询四个板块，设有科学技术公开课、实
光刻过程中的PEB工艺是什么？有什么作用？
本文介绍了光刻过程中的PEB工艺。 在半导体光刻工艺中，曝光后烘烤（Post-Exposure Bake，简称PEB）是一个位于曝光之后、显影之前的关键步骤。它通过在精确控温条件下对已曝光的晶圆进行加热，激活并完成光刻胶内的化学反应，从而将曝光阶段形成的“潜影”转化为具有清晰轮廓的物理图形。PEB的精确性和稳定性直接决定了光刻工艺的线宽控制能力、分辨率与良率。 PEB的定义与工艺位置 PEB是光刻
Negative Tone Development (NTD)介绍
本文主要讲述NTD（负显影）。 在半导体光刻工艺中，传统正性胶配合碱性水溶液显影（即正显影，PTD）是主流技术。然而，随着工艺节点不断缩小，使用正显影来印刷小尺寸沟槽和通孔变得更具挑战性，因为这类图形通常需要暗场掩模，其光学图像对比度较差。 负显影（Negative Tone Development，NTD）是一种相对较新但至关重要的显影技术。它使用非极性有机溶剂作为显影液，选择性地溶解并去除未
赴科学之约 赋未来之翼|半导体所2026年公众科学日活动来啦~
一年一度的公众科学日来啦~ 就在5月16日 半导体所将举办公众科学日活动 邀请各位大朋友、小朋友 赴科学之约，赋未来之翼 共同解锁神奇“芯”世界 为进一步贯彻习近平总书记关于科技创新和科学普及的重要论述，落实《中华人民共和国科学技术普及法》，围绕“十五五”时期全面推进中国式现代化建设的核心目标，充分展示中国科学院作为国家战略科技力量主力军，在抢占科技制高点、奋进科技强国新征程中的重大创新成果，推动
全球首次！半导体博士把后院棚子改成芯片工厂：成功在家从零手搓出内存
4月23日消息，这可不是简单的二次拼接，而是从零开始的晶圆级手搓。 海外科技博主Dr.Semiconductor（半导体博士）完成了全球第一次DIY壮举。他在自家后院棚屋改造的洁净室里，成功制备出内存存储单元阵列，实现了史上首次在家自制RAM内存的突破。他还通过视频，完整展示了家用环境下芯片制造的全流程半导体工艺。 当下AI产业爆发，引发了全球内存市场的持续动荡。三星、美光、SK海力士三大
光刻工艺中的LER是什么？
在纳米级光刻工艺中，线边缘粗糙度（Line Edge Roughness, LER）是指光刻图案边缘与理论上完美光滑边缘之间的随机偏差。显影后，光刻胶边缘在电子显微镜下呈现类似锯齿的不规则图形。与之相关的线宽粗糙度（LWR）则强调线宽沿长度方向的波动。随着特征尺寸持续缩小，LER并不会同比缩小，而工艺容差却不断收窄，这使得过去几纳米级的边缘起伏从“图形小瑕疵”转变为直接影响器件性能的关键因素。 L