无图形晶圆缺陷Darkfield检测技术介绍
本文介绍了裸晶圆缺陷检测中暗场检测技术。 在半导体制造过程中，无图形晶圆通常指裸硅片或假片，主要用于设备测试以及机台内部环境洁净度的监控。当此类晶圆表面存在过多颗粒、残留物或划痕等缺陷时，需要及时排查来源，以保障工艺的稳定性。为了有效探测这些微小异常，暗场检测技术被广泛应用于无图形晶圆的缺陷检测。 暗场检测的基本原理 无图形晶圆表面较为平整均匀，其正常区域的镜面反射光方向集中。当入射光照射到理想
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本文介绍了裸晶圆缺陷检测中暗场检测技术。 在半导体制造过程中，无图形晶圆通常指裸硅片或假片，主要用于设备测试以及机台内部环境洁净度的监控。当此类晶圆表面存在过多颗粒、残留物或划痕等缺陷时，需要及时排查来源，以保障工艺的稳定性。为了有效探测这些微小异常，暗场检测技术被广泛应用于无图形晶圆的缺陷检测。 暗场检测的基本原理 无图形晶圆表面较为平整均匀，其正常区域的镜面反射光方向集中。当入射光照射到理想