英飞凌与恩菲斯开发900V GaN开关，面向AI数据中心

在数据中心设计的新纪元，人工智能（AI）正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式，以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CPU工作负载进行优化，而现代AI数据中心则以加速器密集型系统为核心，其运行特性截然不同。这些需求正促使业界对数据中心电源架构进行根本性重构，进而加速氮化镓（GaN）半导体的普及应用。 剖析AI数据中心的电力挑战 相较于早期的云基础设施，AI数据中心呈现出两大显

自2014年首届举办以来，IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会已走过十二载征程。我们始终以“驱动工业低碳转型”为使命，深耕零碳技术领域，累计吸引上万名行业精英、专家学者及企业代表参与，成为业内最具影响力的标杆盛会。 2026年，IPAC大会全面升级， 开启双技术峰会新篇章！ 为进一步聚焦零碳技术前沿，英飞凌将于2026年首次推出两大主题技术大会，诚邀您共襄盛举： 英飞凌碳化硅零碳应用技术大会 📅 时

近日，英飞凌科技(以下简称“英飞凌”)与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器（SST）产品，大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计划携手将英飞凌全新碳化硅模块

氮化镓晶体管内部构造简介 GaN 氮化镓晶体管（HEMT）的基本结构如下图1所示，以 GaN/AlGaN 异质结为主体，在AlGaN/ GaN的异质结界面处，由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应，形成了一层高电子浓度的导电通道——二维电子气（2DEG）；器件的最底层是衬底层(一般为Si材料，也有SiC或者GaN材料)，在其上外延生长出N型GaN缓冲层，外延生长的P型AlGaN势垒层，形成A

在电机控制设计中，工程师们始终面临一个经典难题：如何在有限的空间内，实现更高的效率、更低的温升和更优的动态响应？ 传统硅基MOSFET方案受限于开关速度与损耗，往往不得不在性能与体积之间妥协。如今，英飞凌CoolGaN™低压氮化镓晶体管与全新PSOC™ Control C3微控制器的组合，为低压电机控制带来了系统级的突破——更小、更冷、更静、更快。 从器件到系统：CoolGaN™的价值飞轮 与硅基

长期以来，能源消耗一直是数据中心运营商关注的重要问题，随着AI的兴起，这一挑战变得更加严峻。为了支撑AI工作负荷的爆发式增长，数据中心对电力的需求逐年攀升，因此实现尽可能高的能效至关重要。 英飞凌提出了一项战略，旨在提升从电网到核心的整个能源系**统性能**。本文将重点探讨AI如何推动数据中心架构升级，以及这些变化对服务器和机柜技术带来的影响。具体而言，我们将介绍数据中心通过向48V架构转型以提升

英飞凌新推出一款12位数字电流监测IC XDM700-1，提供高精度传感与报告功能 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司进一步扩展其XDP™保护与监测产品组合，推出新产品XDM700-1。XDM700-1是一款适用于高/低侧电流及电压传感的系统监测与报告集成电路（IC），输入电压最高达80 V。该产品基于XDP7xx保护技术平台打造，提供精准的实时测量、监测、报告功能，是AI服

近日，英飞凌科技（以下简称“英飞凌”）与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器（SST）产品，大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计划携手将英飞凌全新碳化硅模块

12V和6V解决方案完善了意法半导体已有的800VDC转50V转换级解决方案未覆盖的电压区间，并在英伟达GTC 2026大会上亮相 现在，意法半导体拥有完整的800VDC配电链路的全链方案组合，能够满足千兆瓦级计算基础设施的电力需求 这些解决方案融合了意法半导体的功率、模拟和混合信号技术，并在芯片和封装级采用定制化设计 近日，意法半导体（ST）宣布扩展其800VDC功率转换解决方案

一颗SiC器件的旅程，从衬底到终端，要经过多少双手？         功率半导体行业最深刻的变革不在实验室，而在产业链的协作方式。氮化镓从消费电子杀向车载充电，碳化硅从高端车型下探至主流市场，光储系统从单一发电走向智能调度——每一轮技术跃迁，都在倒逼产业链从"各自为战"转向"链式协同"。         但协同的代价是复杂的，每一家企业都是链条上的关键节点，但节点之间的接口标准、数据共享、风险共担

美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌300mm GaN技术 Johannes Schoiswohl 英飞凌科技高级副总裁、 氮化镓系统业务线负责人

本视频聚焦固态变压器（SST）应用，介绍英飞凌搭载CoolSiC™ MOSFET的EasyPACK™功率模块的解决方案。SST正在重塑高压输电与AI数据中心供电架构，设备需在快速、持续的动态负载下稳定运行并满足15–20年寿命。基于.XT扩散焊技术，EasyPACK™模块的功率循环能力提升20倍以上，在严苛工况下保持卓越稳定性；高效SiC MOSFET设计提升功率密度并简化拓扑，更适配SST。英飞

随着智能手机、笔记本电脑等移动设备功能日益强大，电池容量持续提升，用户对充电器的要求也愈加严苛：更高功率、更小体积、更低成本、更强兼容性，已成为市场不可逆的四大趋势。USB-C 接口的普及，更推动充电器从“专用”走向“通用”，一个充电器，即可为手机、笔记本、甚至工业设备供电，真正实现“一充多用”。 在这一背景下，如何设计出既能满足高效率、高密度要求，又能控制成本、加速上市的充电解决方案，成为系统架

明日下午1:30，西安高新美居酒店，功率半导体行业的一场"现场实验"即将启动。         不是线上直播的隔屏观望，不是白皮书的纸上谈兵——是六位技术负责人带着真实数据、量产案例、失效样品，站在你面前，回答那些搜索引擎给不了答案的问题： 氮化镓从消费电子杀向车载，意法半导体如何定义技术边界？ 光储系统的芯片协同控制，上海贝岭的全系列方案到底省了多少BOM成本？ 威兆半导体的器件与系

2026年5月8日，英飞凌发布声明称，美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会近日的最终裁决维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌表示，该裁决是又一项积极的结果，进一步彰显了英飞凌在氮化镓技

SEMICON China 2026开幕仪式 3月25日，SEMICON China 2026国际半导体展在上海盛大启幕，展览面积逾10万平米，吸引1500家全球展商参与，预计逾18万人次专业观众共襄盛举。 本届展会聚焦三大产业趋势：AI算力持续爆发，2026年全球AI基础设施支出将达4500亿美元；作为AI基础设施核心资源，全球存储产值成为半导体第一增长极；技术驱动产业升级，先进封装战略地位凸显

随着数据中心为满足日益增长的工作负载需求而在单位面积内集成更多计算能力，如何为各类IT设备、冷却技术及其他建筑系统供电，正逐渐成为制约其发展的关键因素。麦肯锡预测，2023年至2030年间全球数据中心容量需求将以每年19%至22%的速度增长，达到171至219千兆瓦的规模。[1] 这种激增主要由人工智能工作负载驱动。相比传统应用，AI工作负载的能耗明显更高，从而加速了对热效应缓解方案的需求——因

模拟芯片龙头的成绩单，成了半导体行业复苏的最强信号。 4月23日，德州仪器（TXN）公布2026年第一季度财报，业绩全面碾压市场预期。公司Q1营收达48.3亿美元，同比增长19%，环比增长9%；每股收益（EPS）为1.68美元（含0.05美元离散税项收益），同比增长31%，远超市场预期的1.36美元。财报发布后，公司股价周四飙升约19%，创下2000年以来最大单日涨幅，今年迄今累计上涨约60%

氮化镓（GaN）性能优异，但客户最常问的是：它能像硅器件一样稳定工作十年以上吗？ 作为全球功率半导体领导者，英飞凌的回答不仅是数据，更是一套贯穿设计、制造、认证与应用的全生命周期质量体系。在近日专题研讨中，英飞凌专家首次系统披露了CoolGaN™背后的可靠性工程。 质量之道：言出必行，零缺陷 英飞凌的质量理念是“言出必行”，承诺零缺陷。这背后是三大支柱： 设计可靠性：基于对氮化镓物理特性的深刻

随着全球电源需求正出现前所未有的激增，设计人员不断面临挑战，需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸，并以更高的效率提供更高的功率水平。 氮化镓（GaN）以其优越的半导体特性，正在推动一场变革，引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。 高电压GaN双向开关（BDS）通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断，从而助