三星成功产出首颗10纳米以下DRAM工作芯片
据韩媒thelec最新报道，三星已成功生产出基于10纳米以下工艺的DRAM工作芯片（working die），这标志着其在克服存储器制造工艺的物理微缩极限方面，迈出了商业化应用的关键一步。 在DRAM行业的技术命名体系中，10纳米级制程节点已从1x、1y、1z演进至1d。而此次三星实现突破的“10a”节点，是首个实际线宽低于10纳米的工艺，其电路线宽估计在9.5至9.7纳米之间。 “工作芯片”是指
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据韩媒thelec最新报道，三星已成功生产出基于10纳米以下工艺的DRAM工作芯片（working die），这标志着其在克服存储器制造工艺的物理微缩极限方面，迈出了商业化应用的关键一步。 在DRAM行业的技术命名体系中，10纳米级制程节点已从1x、1y、1z演进至1d。而此次三星实现突破的“10a”节点，是首个实际线宽低于10纳米的工艺，其电路线宽估计在9.5至9.7纳米之间。 “工作芯片”是指