用Cadence Virtuoso IC617仿真工艺库参数
本文将会描述，如何通过V-I特性曲线得出SMIC 0.18um工艺库的工艺参数。 N-MOS的测量 提取数据 上一篇文章已经得到了在不同的vgs下的vds参数曲线。原理图如下。W为220um，L为180um，后面会用到。 为了更精确得到数据，这里改变一下扫描范围，vds范围改为0-2V，vgs范围改为0.6-1.2V，步长设置为0.2V，得出结果如下图。 选择Marker菜单中的Create
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Cadence Virtuoso IC617从原理图建立器件和生成版图
本文主要记录了如何用Cadence Virtuoso IC617建立器件和生成版图。虽然前面的文章记录过如何生成器件，但是本文将重新记录，方便查看和学习。本文将用以下原理图，这是一个反相器。 建立器件 确保原理图中的器件都是有版图的，没有包含各种信号源，同时接口都放置了Pin脚。选择Create -> Cellview -> From Cellview。 名字默认为原理图的名字。点