芯片设计中的ESD防护设计介绍
本文主要讲述芯片设计中的ESD防护设计介绍。 在集成电路（IC）的设计、制造、封装、测试及应用全流程中，静电放电（ESD）是最常见且破坏性极强的隐患之一。ESD放电时间虽仅为纳秒至微秒级，但瞬时峰值电流可达数十安培，足以击穿芯片内部的精密结构。因此，芯片设计时需要集成专用的ESD防护电路，在输入/输出引脚、电源引脚附近形成低阻抗放电通路，将静电能量旁路到地，避免核心电路受损。 ESD防护设计的核心
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# 晶闸管
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单向晶闸管的结构与导电特性
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化。 晶闸管是NPNP四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和控制极；晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 晶闸管