应力的“记忆术”：SMT如何帮NMOS跑得更快
本文介绍了SMT如何帮NMOS跑得更快。 在芯片制造中，提升NMOS晶体管速度的一个有效方法，是在沟道中引入张应力。应力能改变硅的晶格结构，让电子迁移得更快。但问题在于，传统的应力引入方式——比如在器件上方沉积一层应力氮化硅薄膜——会带来布局依赖效应，不同密度的图形区域应力效果差异很大。 于是工程师发明了应力记忆技术，简称SMT。它的巧妙之处在于，应力源只是“临时工”，用完之后就撤走，但应力效
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本文介绍了SMT如何帮NMOS跑得更快。 在芯片制造中，提升NMOS晶体管速度的一个有效方法，是在沟道中引入张应力。应力能改变硅的晶格结构，让电子迁移得更快。但问题在于，传统的应力引入方式——比如在器件上方沉积一层应力氮化硅薄膜——会带来布局依赖效应，不同密度的图形区域应力效果差异很大。 于是工程师发明了应力记忆技术，简称SMT。它的巧妙之处在于，应力源只是“临时工”，用完之后就撤走，但应力效