钨塞W-plug是干什么用的？
钨塞是什么？ 钨塞（Tungsten Plug，业内常简称为 W-plug）是半导体集成电路制造中，用于实现晶体管器件层与上方金属互连层之间垂直电气连接的圆柱形微观金属导体。 在芯片的物理架构中，它主要位于中道工序（MOL, Middle-of-Line）的接
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Standard cell/标准单元在芯片设计中的核心地位
本文介绍了Standard cell/标准单元在芯片设计中的核心地位。 标准单元在芯片设计中的核心地位 随着摩尔定律的持续推进，芯片设计对功耗（Power）-性能（Performance）-面积（Area）（PPA）的优化需求愈发严苛。 标准单元（Stan
本届世界杯，到底用了哪些黑科技？
本文介绍了本届世界杯使用的黑科技。 今年这届世界杯，已经进入尾声啦！ 这届世界杯，是有史以来科技含量最高的一届世界杯。在球场内外，融入了大量的前沿数字科技，涵盖了5G、物联网、VR/AR、云计算、数字孪生、人工智能等各个领域。这些数字科技，不仅提升了比赛判罚的
钨塞（W-plug）是怎么做的？
本文介绍了钨塞（W-plug）的制造流程。 钨塞制造的标准流程是： 刻蚀接触孔/通孔 → 沉积阻挡/粘附层（Ti/TiN）→ 沉积钨成核层 → CVD 主体填钨 → CMP 平坦化 第一步：刻蚀接触孔 / 通孔（Contact / Via Etch） 在介
玻璃基封装载板，到底是不是“玻璃做的 PCB”？
本文介绍了玻璃基封装载板。 最近，半导体圈里“玻璃基封装载板”很火。很多人第一反应是：这不就是把 PCB 的材料从树脂换成玻璃吗？是不是可以理解成“玻璃做的 PCB”？ 这个说法有一点像，但也很容易误导。 更准确地说：玻璃基封装载板不是普通 PCB 的玻璃
芯片设计与制造中提到的Corner以及SS/TT/FF是什么？
本文介绍了芯片设计与制造中提到的Corner以及SS/TT/FF。 在芯片制造领域，Corner（工艺角）这一概念用于定量刻画因制造工艺导致的个体间性能差异。芯片制造时，如掺杂 (doping) 浓度、扩散 (diffusion) 深度、刻蚀 (etch)
界面结合材料
本文介绍了界面结合材料。 概述 界面结合材料是一类可实现芯片与载板、芯片与芯片、芯片与热沉之间连接与黏结的功能性材料。为满足工业芯片封装的高标准、高可靠性要求，界面结合材料需具备多项核心技术特性：具备高机械强度，可抵御封装与服役过程中的各类机械应力；拥有优异
钴在半导体制造中的应用
文章来源：Tom聊芯片智造 原文作者：Tom 本文介绍了钴在半导体制造中的应用。 钴（Co）在半导体制造里的应用比很多人想象的要广，而且是随着制程推进逐步扩大的。它不只是"下一代互连金属"，在硅化物、接触、互连、衬垫层、甚至磁性存储等多个环节都有关键作用。 局
应力的“记忆术”：SMT如何帮NMOS跑得更快
本文介绍了SMT如何帮NMOS跑得更快。 在芯片制造中，提升NMOS晶体管速度的一个有效方法，是在沟道中引入张应力。应力能改变硅的晶格结构，让电子迁移得更快。但问题在于，传统的应力引入方式——比如在器件上方沉积一层应力氮化硅薄膜——会带来布局依赖效应，不同密
晶圆变“晶方”？AI封装火了，MEMS也能用吗？
本文介绍了方形晶圆的适用场景和优势短板。 近期半导体行业方形硅片批量交付的消息刷屏，不少人疑惑，几十年通用的圆形晶圆为何突然出现方形款，它会不会全面替代圆片，在MEMS 领域又有落地空间？ 晶圆和“晶方” 传统晶圆天生是圆形，硅棒经旋转提拉长成圆柱，切片自然
MLCC深度分析：AI服务器背后的“小电容”，为什么正在被重新定价？
在半导体产业链中，MLCC长期被称为“电子工业大米”。它不像GPU、CPU、HBM那样站在聚光灯下，也不像先进制程、光刻机、先进封装那样自带技术叙事，但几乎所有电子设备都离不开它。 手机主板上有它，汽车电控系统里有它，服务器电源模块里有它，GPU加速卡周边也
芯片PPA设计是什么？
本文介绍了硅芯片的兼顾功耗、性能和面积的设计理念和思路。 在硅芯片设计中，PPA作为功耗（Power）、性能（Performance）和面积（Area）的统称，是评估芯片设计质量与效率的三大核心指标。这三个指标共同决定了芯片的物理实现成本、工作能耗以及任务处
平行缝焊抗盐雾性能
本文主要讲述平行缝焊抗盐雾性能。 腐蚀现象 盐雾试验是一种模拟沿海大气环境对电子器件侵蚀效果的加速腐蚀测试手段。金属或防护涂层会在化学作用与电化学作用的共同影响下，出现持续性损伤破坏，常见腐蚀表现包含表面析出腐蚀沉积物、产生色斑、针孔、蚀坑以及涂层起皮剥落等缺
光刻工艺的坐标地图：FEM
本文主要讲述光刻工艺的坐标地图FEM。 在芯片光刻中，工程师经常提到“做个FEM”。这其实是光刻工艺调试中最基础也最关键的一步。今天我们就来拆解一下，FEM是什么，以及焦距和能量这两个参数如何决定光刻的成败。 什么是FEM？ FEM是Focus Exposu
未来光刻替代技术—NIL技术介绍
本文主要讲述NIL技术。 目光投向EUV光刻之外的技术路线。纳米压印光刻（Nanoimprint Lithography，简称NIL）作为一种有力的补充方案，近期因佳能推出相关设备而备受关注，业界看好其打破传统光刻机垄断的潜力。 原理与工艺差异
AuSn焊料环平行缝焊
本文主要讲述AuSn焊料环平行缝焊。 原理及方法 AuSn焊料环平行缝焊的核心工艺原理为：设备左右电极轮在电机驱动下，对器件盖板施加恒定压力，使电极轮与盖板接触位置形成稳定接触电阻。与此同时，主电源释放高频脉冲电流，电流通过接触电阻产生大量焦耳热，使局部温度快
ADI是什么？有什么作用？
本文主要讲述ADI。 在半导体芯片制造的光刻工艺中，显影后检测（After Development Inspection，简称ADI）是一个关键的质量控制环节。它位于光刻工艺的显影步骤完成之后、刻蚀工艺开始之前，主要目的是确认光刻胶上形成的图形是否符合设计要求
光纤的三大技术趋势
本文主要讲述光线的三大技术趋势。 单模多芯光纤 先说说单模多芯光纤。 24芯，就是在一根光纤里，塞入了24根独立的芯，容量一下子就是24倍。 他们采用的波段，是S+C+L波段，覆盖范围达到19.65THz，波道间隔75GHz的话，一共是262（19.65÷0
如何在线检测H2O2浓度？
本文主要介绍了如何在线检测H2O2浓度。 在半导体晶圆厂的湿法清洗中，实现在线（In-line/On-line）检测 H2O2浓度，为了保证制程的稳定性，机台不能停机抽样测试。 一般有两种方法：近红外光谱法 (NIR)和在线自动滴定。 什么是近红外光谱法？
芯片设计：DTCO如何让工艺和电路一起进化
本文主要介绍了DTCO如何让工艺和电路一起进化。 在先进制程中，单纯靠工艺微缩已经越来越难。工程师发现，很多问题其实是设计和制造“各干各的”造成的：工艺不懂电路的需求，电路也不了解工艺的局限。于是，一种新方法诞生了——DTCO（设计-工艺协同优化）。图片展